公开(公告)号：CN105008278A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480010278.5

申请日：2014-01-30

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 星亮二 ,  松本克 ,  青木良隆 ,  松井智波

IPC: C01B31/36 ,  C30B29/06

CPC classification number: C01B32/956 ,  C30B15/14 ,  C30B29/06 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种碳化硅的制造方法，所述方法是在硅晶制造装置内设置碳材加热器，并在非氧化性环境下，通过所述碳材加热器加热并被容纳在容器内的硅熔体来制造硅晶，此时，在所述碳材加热器的表面附带地形成碳化硅，并通过回收该副产物碳化硅来制造碳化硅。由此，能够以低成本、低能耗来制造碳化硅。

公开(公告)号：CN103201226B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180053097.7

申请日：2011-09-26

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 木村明浩 ,  松本克 ,  布施川泉 ,  三木克彦

IPC: C03B20/00 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06

CPC classification number: C03B20/00 ,  C03B19/095 ,  C03B19/14 ,  C03B23/20 ,  C03B2201/23 ,  C30B15/02 ,  C30B15/08 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  Y02P40/57 ,  Y10T117/1032

Abstract: 本发明涉及一种石英玻璃坩埚的制造方法，其包含：工序a，准备由石英玻璃构成且具有坩埚形状的坩埚基材；工序b，利用直接法或火焰水解法制作合成石英玻璃材料；工序c，将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，工序d，将加工成前述坩埚形状的合成石英玻璃材料，熔合于前述坩埚基材的内面。由此，提供一种避免制造单晶硅之际因坩埚自身导致单晶硅位错且具有高耐热性的石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。

公开(公告)号：CN106192000A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610807979.2

申请日：2012-02-15

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 星亮二 ,  松本克 ,  镰田洋之 ,  菅原孝世

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20 ,  C30B33/10 ,  G01N21/956 ,  H01L21/02

CPC classification number: C01B33/02 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B29/06 ,  G01N21/47 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/4735 ,  H01L21/3225 ,  C30B15/20 ,  C30B33/10 ,  G01N21/956 ,  H01L21/02005

Abstract: 本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3(ASTM’79)以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。

公开(公告)号：CN103429798A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280012318.0

申请日：2012-02-15

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 星亮二 ,  松本克 ,  镰田洋之 ,  菅原孝世

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/20 ,  C30B33/10 ,  G01N21/956 ,  H01L21/02

CPC classification number: C01B33/02 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B29/06 ,  G01N21/47 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/4735 ,  H01L21/3225

Abstract: 本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3（ASTM’79）以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。

公开(公告)号：CN103201226A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180053097.7

申请日：2011-09-26

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 木村明浩 ,  松本克 ,  布施川泉 ,  三木克彦

IPC: C03B20/00 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06

CPC classification number: C03B20/00 ,  C03B19/095 ,  C03B19/14 ,  C03B23/20 ,  C03B2201/23 ,  C30B15/02 ,  C30B15/08 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  Y02P40/57 ,  Y10T117/1032

Abstract: 本发明涉及一种石英玻璃坩埚的制造方法，其包含：工序a，准备由石英玻璃构成且具有坩埚形状的坩埚基材；工序b，利用直接法或火焰水解法制作合成石英玻璃材料；工序c，将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，工序d，将加工成前述坩埚形状的合成石英玻璃材料，熔合于前述坩埚基材的内面。由此，提供一种避免制造单晶硅之际因坩埚自身导致单晶硅位错且具有高耐热性的石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。