公开(公告)号：CN103201226B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201180053097.7

申请日：2011-09-26

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 木村明浩 ,  松本克 ,  布施川泉 ,  三木克彦

IPC: C03B20/00 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06

CPC classification number: C03B20/00 ,  C03B19/095 ,  C03B19/14 ,  C03B23/20 ,  C03B2201/23 ,  C30B15/02 ,  C30B15/08 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  Y02P40/57 ,  Y10T117/1032

Abstract: 本发明涉及一种石英玻璃坩埚的制造方法，其包含：工序a，准备由石英玻璃构成且具有坩埚形状的坩埚基材；工序b，利用直接法或火焰水解法制作合成石英玻璃材料；工序c，将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，工序d，将加工成前述坩埚形状的合成石英玻璃材料，熔合于前述坩埚基材的内面。由此，提供一种避免制造单晶硅之际因坩埚自身导致单晶硅位错且具有高耐热性的石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。

公开(公告)号：CN103201226A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180053097.7

申请日：2011-09-26

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 木村明浩 ,  松本克 ,  布施川泉 ,  三木克彦

IPC: C03B20/00 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06

CPC classification number: C03B20/00 ,  C03B19/095 ,  C03B19/14 ,  C03B23/20 ,  C03B2201/23 ,  C30B15/02 ,  C30B15/08 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  Y02P40/57 ,  Y10T117/1032

Abstract: 本发明涉及一种石英玻璃坩埚的制造方法，其包含：工序a，准备由石英玻璃构成且具有坩埚形状的坩埚基材；工序b，利用直接法或火焰水解法制作合成石英玻璃材料；工序c，将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，工序d，将加工成前述坩埚形状的合成石英玻璃材料，熔合于前述坩埚基材的内面。由此，提供一种避免制造单晶硅之际因坩埚自身导致单晶硅位错且具有高耐热性的石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。