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公开(公告)号：CN103429798A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280012318.0
申请日：2012-02-15
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B29/06 , C30B15/20 , C30B33/10 , G01N21/956 , H01L21/02
CPC classification number: C01B33/02 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06 , G01N21/47 , G01N21/9501 , G01N2021/4735 , H01L21/3225
Abstract: 本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3（ASTM’79）以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。
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公开(公告)号：CN106192000A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610807979.2
申请日：2012-02-15
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B29/06 , C30B15/20 , C30B33/10 , G01N21/956 , H01L21/02
CPC classification number: C01B33/02 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06 , G01N21/47 , G01N21/9501 , G01N2021/4735 , H01L21/3225 , C30B15/20 , C30B33/10 , G01N21/956 , H01L21/02005
Abstract: 本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3(ASTM’79)以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。
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公开(公告)号：CN103459336A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280017986.2
申请日：2012-02-15
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C03B20/00 , C03B19/095 , C03B32/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是一种石英玻璃坩埚的制造方法，其特征在于，其包含：步骤a，该步骤准备由石英玻璃所构成，且具有坩埚形状的坩埚基材；步骤b，该步骤利用直接法或火焰水解法(SOOT)制作合成石英玻璃材料；步骤c，该步骤将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，步骤d，该步骤进行热处理，通过硅石粉末来粘结前述坩埚基材的内壁与前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料的外壁。由此，提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法，所述石英玻璃坩埚可以防止制造单晶硅时单晶硅产生位错，并且，具有高耐热性，可以抑制生产性、成品率的降低。
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公开(公告)号：CN103459336B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201280017986.2
申请日：2012-02-15
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C03B20/00 , C03B19/095 , C03B32/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明是一种石英玻璃坩埚的制造方法，其特征在于，其包含：步骤a，该步骤准备由石英玻璃所构成，且具有坩埚形状的坩埚基材；步骤b，该步骤利用直接法或火焰水解法(SOOT)制作合成石英玻璃材料；步骤c，该步骤将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，步骤d，该步骤进行热处理，通过硅石粉末来粘结前述坩埚基材的内壁与前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料的外壁。由此，提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法，所述石英玻璃坩埚可以防止制造单晶硅时单晶硅产生位错，并且，具有高耐热性，可以抑制生产性、成品率的降低。
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