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公开(公告)号：CN106192000A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610807979.2
申请日：2012-02-15
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B29/06 , C30B15/20 , C30B33/10 , G01N21/956 , H01L21/02
CPC classification number: C01B33/02 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06 , G01N21/47 , G01N21/9501 , G01N2021/4735 , H01L21/3225 , C30B15/20 , C30B33/10 , G01N21/956 , H01L21/02005
Abstract: 本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3(ASTM’79)以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102639763B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080052894.9
申请日：2010-11-09
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明提供一种单晶制造装置，是利用切克劳斯基法来实行的单晶制造装置，其具备：坩埚，其容置原料；主室，其容置将该原料加热成原料熔液的加热器；及副室，其连接设置于该主室的上部，用以提拉并容置培育后的单晶；所述单晶制造装置的特征在于具有：内屏蔽，其配置于所述加热器与所述主室之间，并隔绝所述加热器的辐射热；及支持构件，其从下方支持该内屏蔽；并且，所述内屏蔽在三处以上的支点处与所述支持构件接触而得以被支持，所述内屏蔽的下端在所述支点以外不与所述支持构件接触。由此，提供一种单晶制造装置，所述单晶制造装置可以通过降低由内屏蔽向支持构件的热量散失，来提高炉内保温性，省电并且减少单晶的制造时间。
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公开(公告)号：CN103429798A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280012318.0
申请日：2012-02-15
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B29/06 , C30B15/20 , C30B33/10 , G01N21/956 , H01L21/02
CPC classification number: C01B33/02 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06 , G01N21/47 , G01N21/9501 , G01N2021/4735 , H01L21/3225
Abstract: 本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3（ASTM’79）以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。
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公开(公告)号：CN102007234A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113403.4
申请日：2009-03-24
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
Abstract: 本发明关于一种单晶硅的成长方法及提拉装置，该单晶硅的成长方法根据切克劳斯基法，将单晶从已在石英坩埚内熔融的硅原料的熔融液提拉而使其成长，其特征在于：以上述石英坩埚的外壁侧为正极，并以电极侧为负极的方式，施加直流电压，一边使电流从上述电极流过一边根据上述提拉轴来使单晶硅成长；并且，该电极是与用以提拉上述单晶的提拉轴分开设置，且被浸渍于上述硅原料的熔融液中。由此，在单晶硅的成长过程中，通过使适当的结晶化层即失透发生在石英坩埚的内壁表面，同时防止锂等的碱金属混入单晶硅中，能提高单晶产率与生产性，并且在切片成芯片后的热氧化处理中，能抑制氧化膜的异常成长。
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公开(公告)号：CN102007234B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200980113403.4
申请日：2009-03-24
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
Abstract: 本发明关于一种单晶硅的成长方法及提拉装置，该单晶硅的成长方法根据切克劳斯基法，将单晶从已在石英坩埚内熔融的硅原料的熔融液提拉而使其成长，其特征在于：以上述石英坩埚的外壁侧为正极，并以电极侧为负极的方式，施加直流电压，一边使电流从上述电极流过一边根据上述提拉轴来使单晶硅成长；并且，该电极是与用以提拉上述单晶的提拉轴分开设置，且被浸渍于上述硅原料的熔融液中。由此，在单晶硅的成长过程中，通过使适当的结晶化层即失透发生在石英坩埚的内壁表面，同时防止锂等的碱金属混入单晶硅中，能提高单晶产率与生产性，并且在切片成芯片后的热氧化处理中，能抑制氧化膜的异常成长。
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公开(公告)号：CN102639763A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201080052894.9
申请日：2010-11-09
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明提供一种单晶制造装置，是利用切克劳斯基法来实行的单晶制造装置，其具备：坩埚，其容置原料；主室，其容置将该原料加热成原料熔液的加热器；及副室，其连接设置于该主室的上部，用以提拉并容置培育后的单晶；所述单晶制造装置的特征在于具有：内屏蔽，其配置于所述加热器与所述主室之间，并隔绝所述加热器的辐射热；及支持构件，其从下方支持该内屏蔽；并且，所述内屏蔽在三处以上的支点处与所述支持构件接触而得以被支持，所述内屏蔽的下端在所述支点以外不与所述支持构件接触。由此，提供一种单晶制造装置，所述单晶制造装置可以通过降低由内屏蔽向支持构件的热量散失，来提高炉内保温性，省电并且减少单晶的制造时间。
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