半导体晶片保护膜形成用薄片

    公开(公告)号:CN102382584A

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN201110189312.8

    申请日:2011-07-01

    Abstract: 本发明提供一种半导体晶片保护膜形成用薄片,用于在半导体晶片上形成保护膜,所述半导体晶片保护膜形成用薄片的特征在于,具备基材薄膜、剥离薄膜、以及被配置于前述基材薄膜与前述剥离薄膜之间的保护膜形成层,并且,该保护膜形成层是于前述基材薄膜的面上隔开规定间隔形成有多个,各个保护膜形成层的直径比作为形成前述保护膜的对象的半导体晶片的直径更小100μm至5mm,且固化后的前述保护膜形成层的弹性模量是1GPa至20GPa。通过本发明,可提供一种半导体晶片保护膜形成用薄片,其可在不污染晶片上的电路表面的情形下进行光学定向。

    钽酸锂晶体的制造方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100424235C

    公开(公告)日:2008-10-08

    申请号:CN200480005133.2

    申请日:2004-03-05

    Inventor: 盐野嘉幸

    CPC classification number: C30B33/00 C30B29/30

    Abstract: 本发明提供一种钽酸锂晶体的制造方法,该方法为至少将第一材料与已单一极化的钽酸锂晶体相重迭而在还原性环境和低于居里点的温度T2’下进行热处理,使该已单一极化的钽酸锂晶体的导电率提高,其中该第一材料含有:在还原性环境和低于居里点的温度T1’下热处理过的钽酸锂或铌酸锂,或是贮藏氢的贮氢金属。因此,通过提高钽酸锂晶体的导电率,使已产生的表面电荷不产生聚集现象,从而可使由于对碳酸锂晶体施加温度而产生的表面电荷消失,同时,能够维持单一极化构造而发挥有效的压电性。

    钽酸锂晶体的制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1754014A

    公开(公告)日:2006-03-29

    申请号:CN200480005133.2

    申请日:2004-03-05

    Inventor: 盐野嘉幸

    CPC classification number: C30B33/00 C30B29/30

    Abstract: 本发明提供一种钽酸锂晶体的制造方法,该方法为至少将第一材料与已单一极化的钽酸锂晶体相重迭而在还原性环境和低于居里点的温度T2’下进行热处理,使该已单一极化的钽酸锂晶体的导电率提高,其中该第一材料含有:在还原性环境和低于居里点的温度T1’下热处理过的钽酸锂或铌酸锂,或是贮藏氢的贮氢金属。因此,通过提高钽酸锂晶体的导电率,使已产生的表面电荷不产生聚集现象,从而可使由于对碳酸锂晶体施加温度而产生的表面电荷消失,同时,能够维持单一极化构造而发挥有效的压电性。

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