-
公开(公告)号：CN102470674A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080034835.9
申请日：2010-07-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/1404 , B41J2/14145 , B41J2/1603 , B41J2/1629 , B41J2/1634 , B41J2/1639
Abstract: 提供一种液体排出头用基板的制造方法，液体排出头用基板包括第一面、产生将液体排出到与第一面相反的第二面的能量用的能量产生元件以及用于将液体供给到能量产生元件的液体供给口。所述方法包括：制备硅基板，该硅基板在第一面具有蚀刻掩模层，蚀刻掩模层具有与将要形成液体供给口的部分对应的开口，并且该硅基板具有设置于开口内的第一凹部和设置于第二面的将要形成液体供给口的区域中的第二凹部，第一凹部和第二凹部通过基板的一部分而彼此分离；以及从第一面的开口起通过结晶各向异性蚀刻来对硅基板进行蚀刻以形成液体供给口。
-
公开(公告)号：CN102470674B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201080034835.9
申请日：2010-07-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/1404 , B41J2/14145 , B41J2/1603 , B41J2/1629 , B41J2/1634 , B41J2/1639
Abstract: 本发明提供一种液体排出头用基板的制造方法，液体排出头用基板包括第一面、产生将液体排出到与第一面相反的第二面的能量用的能量产生元件以及用于将液体供给到能量产生元件的液体供给口。所述方法包括：制备硅基板，该硅基板在第一面具有蚀刻掩模层，蚀刻掩模层具有与将要形成液体供给口的部分对应的开口，并且该硅基板具有设置于开口内的第一凹部和设置于第二面的将要形成液体供给口的区域中的第二凹部，第一凹部和第二凹部通过基板的一部分而彼此分离；以及从第一面的开口起通过结晶各向异性蚀刻来对硅基板进行蚀刻以形成液体供给口。
-
公开(公告)号：CN101817257A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010122999.9
申请日：2010-02-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/16
CPC classification number: B41J2/1629 , B41J2/1603 , B41J2/1631 , B41J2/1634
Abstract: 一种液体排出头用基板的制造方法，该基板是具有第一面和与第一面相反的第二面的硅基板，该制造方法包括如下步骤：在硅基板的第二面上提供如下的层：当暴露于硅的蚀刻剂时，该层具有比硅的蚀刻速率低的蚀刻速率；部分地去除该层，以使硅基板的第二面的一部分露出，其中，露出部分包围该层的至少一部分；以及使用硅的蚀刻剂对该层和硅基板的第二面的所述露出部分进行湿法蚀刻，以形成从硅基板的第二面延伸到第一面的液体供给口。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102191063B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110029956.0
申请日：2011-01-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C09K13/02 , H01L21/02 , H01L21/306 , B41J2/16
CPC classification number: H01L21/30608 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1635 , B41J2/1639 , B41J2/1645 , C09K13/02
Abstract: 液体组合物，其用于进行硅基板的晶体各向异性蚀刻，该硅基板设置有由硅氧化物膜形成的蚀刻掩模，该硅氧化物膜用作掩模，该液体组合物包括：氢氧化铯、碱性有机化合物和水。
-
公开(公告)号：CN101380847A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810212556.1
申请日：2008-09-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14145 , B41J2/1603 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1635 , B41J2/1639 , B41J2/1645
Abstract: 本发明公开了一种用于制造液体喷射头基底的方法，所述基底包括具有用于供应液体的供给端口的硅基底。所述方法包括：在硅基底表面上设置蚀刻掩模层，所述蚀刻掩模层在与所述供给端口相对应的部分上具有开口；通过经由蚀刻掩模层上的开口对硅基底进行各向异性蚀刻而在所述硅基底上形成第一凹部；在所述硅基底的第一凹部的表面上形成第二凹部，所述第二凹部朝向硅基底的另一表面延伸；和通过从具有第二凹部的表面对所述硅基底进行各向异性蚀刻而形成供给端口。本发明还公开了相应的液体喷射头。
-
公开(公告)号：CN101817257B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201010122999.9
申请日：2010-02-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/16
CPC classification number: B41J2/1629 , B41J2/1603 , B41J2/1631 , B41J2/1634
Abstract: 一种液体排出头用基板的制造方法，该基板是具有第一面和与第一面相反的第二面的硅基板，该制造方法包括如下步骤：在硅基板的第二面上提供如下的层：当暴露于硅的蚀刻剂时，该层具有比硅的蚀刻速率低的蚀刻速率；部分地去除该层，以使硅基板的第二面的一部分露出，其中，露出部分包围该层的至少一部分；以及使用硅的蚀刻剂对该层和硅基板的第二面的所述露出部分进行湿法蚀刻，以形成从硅基板的第二面延伸到第一面的液体供给口。
-
公开(公告)号：CN102191063A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110029956.0
申请日：2011-01-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C09K13/02 , H01L21/02 , H01L21/306 , B41J2/16
CPC classification number: H01L21/30608 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1635 , B41J2/1639 , B41J2/1645 , C09K13/02
Abstract: 液体组合物，其用于进行硅基板的晶体各向异性蚀刻，该硅基板设置有由硅氧化物膜形成的蚀刻掩模，该硅氧化物膜用作掩模，该液体组合物包括：氢氧化铯、碱性有机化合物和水。
-
公开(公告)号：CN101380847B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810212556.1
申请日：2008-09-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14145 , B41J2/1603 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1635 , B41J2/1639 , B41J2/1645
Abstract: 本发明公开了一种用于制造液体喷射头基底的方法，所述基底包括具有用于供应液体的供给端口的硅基底。所述方法包括：在硅基底表面上设置蚀刻掩模层，所述蚀刻掩模层在与所述供给端口相对应的部分上具有开口；通过经由蚀刻掩模层上的开口对硅基底进行各向异性蚀刻而在所述硅基底上形成第一凹部；在所述硅基底的第一凹部的表面上形成第二凹部，所述第二凹部朝向硅基底的另一表面延伸；和通过从具有第二凹部的表面对所述硅基底进行各向异性蚀刻而形成供给端口。本发明还公开了相应的液体喷射头。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.016 seconds)
