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公开(公告)号：CN107564925B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201710497532.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/367
Abstract: 公开了成像装置、成像系统和可移动物体。成像装置包括其中布置有各自包括光电转换器的多个像素的像素区域，该像素区域包括有效像素区域、覆盖有遮光膜的光学黑区域，以及布置在有效像素区域与光学黑区域之间的哑元像素区域。所述多个像素中布置在至少有效像素区域和光学黑区域中的像素各自包括布置在光电转换器上方的光波导。包括光波导的像素被布置在有效像素区域与光学黑区域之间以便彼此间隔开至少一个像素的节距。
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公开(公告)号：CN102637712A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210028244.1
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法，其中包括在半导体基板的成像区域和周边区域中提供第一波导部件并且提供贯穿第一波导部件的插头。
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公开(公告)号：CN116705813A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310457124.1
申请日：2018-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。
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公开(公告)号：CN111063701A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910985723.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及光电转换装置和包括光电转换装置的装备。光电转换装置包括：半导体层，其中在受光区域中布置有第一光电转换器，并且在遮光区域中布置有第二光电转换器；遮光壁，布置在半导体层上方并限定分别与第一光电转换器对应的孔；以及遮光膜，布置在半导体层上方。遮光膜包括沿着半导体层的主表面延伸以覆盖第二光电转换器的第一部分。第一部分具有下表面和上表面。遮光壁包括第二部分，其与半导体层的距离大于上表面和主表面之间的距离。第一部分在垂直于主表面的方向上的厚度大于第二部分在平行于主表面的方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN102637712B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210028244.1
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法，其中包括在半导体基板的成像区域和周边区域中提供第一波导部件并且提供贯穿第一波导部件的插头。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103165634A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310042689.X
申请日：2010-06-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/28518 , H01L27/14632
Abstract: 本发明涉及制造光电转换装置的方法。在一种制造具有像素区和外围电路区的光电转换装置的方法中，通过使得外围电路区中的MOS晶体管的栅电极或者扩散层的表面与高熔点金属进行反应形成半导体化合物层，然后在形成半导体化合物层的步骤以后在像素区和外围电路区中形成绝缘层。在绝缘层中形成接触孔以暴露像素区中的扩散层，在绝缘层中形成接触孔以暴露在外围电路区中形成的半导体化合物层。这些孔在不同时刻被形成。在形成后形成的孔之前，在先形成的接触孔中形成接触插塞。
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公开(公告)号：CN109244092B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201810757489.5
申请日：2018-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。
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公开(公告)号：CN107564925A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710497532.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/367
CPC classification number: H01L27/14625 , G06T7/536 , G06T2207/10004 , G06T2207/30252 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H04N5/355 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378 , H04N7/183
Abstract: 公开了成像装置、成像系统和可移动物体。成像装置包括其中布置有各自包括光电转换器的多个像素的像素区域，该像素区域包括有效像素区域、覆盖有遮光膜的光学黑区域，以及布置在有效像素区域与光学黑区域之间的哑元像素区域。所述多个像素中布置在至少有效像素区域和光学黑区域中的像素各自包括布置在光电转换器上方的光波导。包括光波导的像素被布置在有效像素区域与光学黑区域之间以便彼此间隔开至少一个像素的节距。
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公开(公告)号：CN102637705B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210027892.5
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造方法。层间绝缘膜被设置在半导体衬底的图像拾取区域和外围区域上方。在层间绝缘膜中在覆盖光电转换部的位置形成开口。在半导体衬底的图像拾取区域和外围区域的上方形成波导构件。波导构件的设置在外围区域上方的部分被去除以使层间绝缘膜暴露。
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公开(公告)号：CN101937922B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010213279.3
申请日：2010-06-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/28518 , H01L27/14632
Abstract: 本发明涉及制造光电转换装置的方法。在一种制造具有像素区和外围电路区的光电转换装置的方法中，通过使得外围电路区中的MOS晶体管的栅电极或者扩散层的表面与高熔点金属进行反应形成半导体化合物层，然后在形成半导体化合物层的步骤以后在像素区和外围电路区中形成绝缘层。在绝缘层中形成接触孔以暴露像素区中的扩散层，在绝缘层中形成接触孔以暴露在外围电路区中形成的半导体化合物层。这些孔在不同时刻被形成。在形成后形成的孔之前，在先形成的接触孔中形成接触插塞。
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