-
公开(公告)号：CN102637712A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210028244.1
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法，其中包括在半导体基板的成像区域和周边区域中提供第一波导部件并且提供贯穿第一波导部件的插头。
-
公开(公告)号：CN118102765A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311605930.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H10K50/805 , H10K50/813 , H10K59/10
Abstract: 本发明涉及有机设备、显示装置、光电转换装置、电子装置、照明装置、移动物体、以及可穿戴设备。有机设备包括在基板的第一主表面上方依次布置的反射层、第一电极、有机层、以及第二电极。所述第一电极包括第一至第四区域。所述第一区域与所述有机层接触。所述第二区域在远离所述基板的方向上倾斜。所述第三区域相对于所述基板具有小于所述第二区域的倾斜的倾斜。所述第四区域在远离所述基板的方向上倾斜并且相对于所述基板具有大于所述第三区域的倾斜的倾斜。所述第一和第二区域彼此接触。所述第二和第三区域彼此接触。所述第三和第四区域彼此接触。
-
公开(公告)号：CN102637712B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210028244.1
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法，其中包括在半导体基板的成像区域和周边区域中提供第一波导部件并且提供贯穿第一波导部件的插头。
-
公开(公告)号：CN107591418B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201710544402.1
申请日：2017-07-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/144 , H01L27/146
Abstract: 一种光电转换设备、成像系统、及光电转换设备的制造方法，该光电转换设备包括设置在光电转换单元上方的波导构件，以及设置在基板上方并且包围波导构件的至少一部分的绝缘构件。波导构件具有从基板依次布置的第一侧面、第二侧面和第三侧面。第一侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第三侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第二侧面的倾斜角小于90度。
-
公开(公告)号：CN105244358B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510549978.8
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统。提供一种用于制造固态图像拾取装置的方法。所述图像拾取装置包括光电转换部分、在光电转换部分之上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底上，所述第一绝缘膜用作抗反射膜，所述第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层和芯，所述芯的底部设置在第二绝缘膜上。所述方法包括通过各向异性蚀刻设置在光电转换部分之上的部件的一部分来形成开口，从而形成包层，并在所述开口中形成芯。在所述方法中，在第二绝缘膜的蚀刻速率低于所述部件的蚀刻速率的条件下执行所述蚀刻。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107591418A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710544402.1
申请日：2017-07-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , G05D1/0246 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685
Abstract: 一种光电转换设备、成像系统、及光电转换设备的制造方法，该光电转换设备包括设置在光电转换单元上方的波导构件，以及设置在基板上方并且包围波导构件的至少一部分的绝缘构件。波导构件具有从基板依次布置的第一侧面、第二侧面和第三侧面。第一侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第三侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第二侧面的倾斜角小于90度。
-
公开(公告)号：CN102637707B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210027912.9
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法和固态图像拾取装置的制造方法。所述半导体装置的制造方法包括：在半导体基板之上形成用于在多个绝缘膜中形成开口的具有开口的掩模的步骤，其中在所述半导体基板上依次层叠变为第一绝缘膜的部件、与变为第一绝缘膜的部件不同的变为第二绝缘膜的部件、变为第三绝缘膜的部件、以及与变为第三绝缘膜的部件不同的变为第四绝缘膜的部件；第一步骤，在与所述掩模的开口对应的部分处连续地去除变为第四绝缘膜的部件和变为第三绝缘膜的部件；以及第二步骤，在第一步骤之后，在与所述掩模的开口对应的部分处去除变为第二绝缘膜的部件。
-
公开(公告)号：CN105244358A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510549978.8
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/14641 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统。提供一种用于制造固态图像拾取装置的方法。所述图像拾取装置包括光电转换部分、在光电转换部分之上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底上，所述第一绝缘膜用作抗反射膜，所述第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层和芯，所述芯的底部设置在第二绝缘膜上。所述方法包括通过各向异性蚀刻设置在光电转换部分之上的部件的一部分来形成开口，从而形成包层，并在所述开口中形成芯。在所述方法中，在第二绝缘膜的蚀刻速率低于所述部件的蚀刻速率的条件下执行所述蚀刻。
-
公开(公告)号：CN102637708A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210027929.4
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/14641 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取装置、其制造方法和图像拾取系统。提供一种用于制造固态图像拾取装置的方法。所述图像拾取装置包括光电转换部分、在光电转换部分之上的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上的第二绝缘膜、以及波导，所述光电转换部分设置在半导体衬底上，所述第一绝缘膜用作抗反射膜，所述第二绝缘膜与所述光电转换部分对应地设置，所述波导具有包层和芯，所述芯的底部设置在第二绝缘膜上。所述方法包括通过各向异性蚀刻设置在光电转换部分之上的部件的一部分来形成开口，从而形成包层，并在所述开口中形成芯。在所述方法中，在第二绝缘膜的蚀刻速率低于所述部件的蚀刻速率的条件下执行所述蚀刻。
-
公开(公告)号：CN102637707A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210027912.9
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法和固态图像拾取装置的制造方法。所述半导体装置的制造方法包括：在半导体基板之上形成用于在多个绝缘膜中形成开口的具有开口的掩模的步骤，其中在所述半导体基板上依次层叠变为第一绝缘膜的部件、与变为第一绝缘膜的部件不同的变为第二绝缘膜的部件、变为第三绝缘膜的部件、以及与变为第三绝缘膜的部件不同的变为第四绝缘膜的部件；第一步骤，在与所述掩模的开口对应的部分处连续地去除变为第四绝缘膜的部件和变为第三绝缘膜的部件；以及第二步骤，在第一步骤之后，在与所述掩模的开口对应的部分处去除变为第二绝缘膜的部件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.021 seconds)
