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公开(公告)号：CN102800684B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210159759.5
申请日：2012-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14656 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H04N5/357
Abstract: 本发明公开了固态图像拾取器件及其制造方法、图像拾取系统。在包括包含光电转换部、载流子保持部和多个晶体管的像素的固态图像拾取器件中，该固态图像拾取器件进一步包括第一绝缘膜，被设置在所述光电转换部、所述载流子保持部以及所述多个晶体管之上；导体，被设置在所述第一绝缘膜的开口中并且定位为连接到所述多个晶体管中的一个或多个晶体管的源极或漏极，以及遮光膜，所述遮光膜被设置在所述第一绝缘膜的开口或凹部中，并且被定位在所述载流子保持部上方。
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公开(公告)号：CN105828000B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610040655.0
申请日：2016-01-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/369 , H04N5/3745 , H04N5/225
Abstract: 一种固态图像传感器和照相机。该固态图像传感器包括用于焦点检测的多个像素，像素中的每个包括布置在半导体基板中的光电转换器、微透镜和布置在半导体基板与微透镜之间以覆盖光电转换器的一部分的光阻挡部分。像素中的平行于半导体基板的表面且在其上布置有光阻挡部分的面除了包括光阻挡部分之外还包括第一开口和第二开口。光阻挡部分包括间隔件，其具有光阻挡性质且被布置在第一开口和第二开口之间，第二开口在面积上比第一开口大，且光阻挡部分的面积比第一开口大。
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公开(公告)号：CN103165634B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310042689.X
申请日：2010-06-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/28518 , H01L27/14632
Abstract: 本发明涉及制造光电转换装置的方法。在一种制造具有像素区和外围电路区的光电转换装置的方法中，通过使得外围电路区中的MOS晶体管的栅电极或者扩散层的表面与高熔点金属进行反应形成半导体化合物层，然后在形成半导体化合物层的步骤以后在像素区和外围电路区中形成绝缘层。在绝缘层中形成接触孔以暴露像素区中的扩散层，在绝缘层中形成接触孔以暴露在外围电路区中形成的半导体化合物层。这些孔在不同时刻被形成。在形成后形成的孔之前，在先形成的接触孔中形成接触插塞。
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公开(公告)号：CN103165634A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310042689.X
申请日：2010-06-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/28518 , H01L27/14632
Abstract: 本发明涉及制造光电转换装置的方法。在一种制造具有像素区和外围电路区的光电转换装置的方法中，通过使得外围电路区中的MOS晶体管的栅电极或者扩散层的表面与高熔点金属进行反应形成半导体化合物层，然后在形成半导体化合物层的步骤以后在像素区和外围电路区中形成绝缘层。在绝缘层中形成接触孔以暴露像素区中的扩散层，在绝缘层中形成接触孔以暴露在外围电路区中形成的半导体化合物层。这些孔在不同时刻被形成。在形成后形成的孔之前，在先形成的接触孔中形成接触插塞。
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公开(公告)号：CN102800684A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210159759.5
申请日：2012-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14656 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H04N5/357
Abstract: 本发明公开了固态图像拾取器件及其制造方法、图像拾取系统。在包括包含光电转换部、载流子保持部和多个晶体管的像素的固态图像拾取器件中，该固态图像拾取器件进一步包括第一绝缘膜，被设置在所述光电转换部、所述载流子保持部以及所述多个晶体管之上；导体，被设置在所述第一绝缘膜的开口中并且定位为连接到所述多个晶体管中的一个或多个晶体管的源极或漏极，以及遮光膜，所述遮光膜被设置在所述第一绝缘膜的开口或凹部中，并且被定位在所述载流子保持部上方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102800683A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210159758.0
申请日：2012-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14627
Abstract: 一种光电转换设备和制造光电转换设备的方法，该光电转换设备包括：多个焦点检测像素，每个焦点检测像素都包括光电转换元件，光电转换元件具有光接收表面；以及多个布线层，用以读取由光电转换元件提供的信号，光电转换设备还包括遮光膜，该遮光膜覆盖光电转换元件的一部分并且具有放置为比多个布线层的最下方布线层的下表面更接近以下平面的下表面：该平面包括光电转换元件的光接收表面并与光接收表面平行。
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公开(公告)号：CN105828000A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610040655.0
申请日：2016-01-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/369 , H04N5/3745 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14643 , H04N5/378 , H04N5/335 , H04N5/2253 , H04N5/369 , H04N5/3745
Abstract: 一种固态图像传感器和照相机。该固态图像传感器包括用于焦点检测的多个像素，像素中的每个包括布置在半导体基板中的光电转换器、微透镜和布置在半导体基板与微透镜之间以覆盖光电转换器的一部分的光阻挡部分。像素中的平行于半导体基板的表面且在其上布置有光阻挡部分的面除了包括光阻挡部分之外还包括第一开口和第二开口。光阻挡部分包括间隔件，其具有光阻挡性质且被布置在第一开口和第二开口之间，第二开口在面积上比第一开口大，且光阻挡部分的面积比第一开口大。
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公开(公告)号：CN102800683B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210159758.0
申请日：2012-05-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14627
Abstract: 一种光电转换设备和制造光电转换设备的方法，该光电转换设备包括：多个焦点检测像素，每个焦点检测像素都包括光电转换元件，光电转换元件具有光接收表面；以及多个布线层，用以读取由光电转换元件提供的信号，光电转换设备还包括遮光膜，该遮光膜覆盖光电转换元件的一部分并且具有放置为比多个布线层的最下方布线层的下表面更接近以下平面的下表面：该平面包括光电转换元件的光接收表面并与光接收表面平行。
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公开(公告)号：CN101937922B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010213279.3
申请日：2010-06-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/28518 , H01L27/14632
Abstract: 本发明涉及制造光电转换装置的方法。在一种制造具有像素区和外围电路区的光电转换装置的方法中，通过使得外围电路区中的MOS晶体管的栅电极或者扩散层的表面与高熔点金属进行反应形成半导体化合物层，然后在形成半导体化合物层的步骤以后在像素区和外围电路区中形成绝缘层。在绝缘层中形成接触孔以暴露像素区中的扩散层，在绝缘层中形成接触孔以暴露在外围电路区中形成的半导体化合物层。这些孔在不同时刻被形成。在形成后形成的孔之前，在先形成的接触孔中形成接触插塞。
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公开(公告)号：CN101937922A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010213279.3
申请日：2010-06-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L21/28518 , H01L27/14632
Abstract: 本发明涉及制造光电转换装置的方法。在一种制造具有像素区和外围电路区的光电转换装置的方法中，通过使得外围电路区中的MOS晶体管的栅电极或者扩散层的表面与高熔点金属进行反应形成半导体化合物层，然后在形成半导体化合物层的步骤以后在像素区和外围电路区中形成绝缘层。在绝缘层中形成接触孔以暴露像素区中的扩散层，在绝缘层中形成接触孔以暴露在外围电路区中形成的半导体化合物层。这些孔在不同时刻被形成。在形成后形成的孔之前，在先形成的接触孔中形成接触插塞。
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