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公开(公告)号：CN102197168A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980143257.X
申请日：2009-08-28
Applicant: 住友金属工业株式会社 , 三菱电机株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B19/10 , Y10T117/1024
Abstract: 一种SiC单晶膜的制造方法，该方法通过使用了以熔体为溶剂的SiC溶液的LPE法来使低掺杂浓度的SiC外延膜在直径2英寸以上的基板上稳定生长，该方法包括在将熔体材料引入到晶体生长炉之前一边加热炉内一边真空排气，直至晶体生长温度下的真空度达到5×10-3Pa以下的工序。此后，将填充有熔体材料的坩埚引入到炉内，形成SiC溶液，使SiC外延膜在浸渍于该溶液中的基板上生长。
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公开(公告)号：CN1229859C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN03110311.1
申请日：2003-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: G01R31/2608
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶体基片的评价方法，旨在提供一种可预测半导体晶体基片的电流放大率的初始变化的半导体晶体基片的评价方法。用于异质结双极型晶体管的含有集电极层、基极层与发射极层的半导体晶体基片的评价方法包括：制作含有和基极层相同组成的晶体层的评价用半导体晶体基片的步骤；在所述评价用半导体晶体基片上照射激励光，测量来自所述晶体层的光致发光的光强度在达到饱和之前随时间的变化的步骤；以及根据所述时间变化预测用所述半导体晶体基片制造异质结双极型晶体管时的电流放大率随时间的变化的步骤。
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公开(公告)号：CN103890539B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180074445.9
申请日：2011-10-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01B11/06 , G01B9/02044 , G01B9/02084 , G01B11/0625
Abstract: 本发明涉及一种对形成于半导体基板的多层的外延层的膜厚进行测定的膜厚测定方法，对于在半导体基板(21)上，将与该半导体基板之间不存在实部折射率差的第1及第2外延层(22、23)按该顺序依次层叠而成的测定对象(20)，进行使用傅里叶变换红外分光光度计的反射干涉解析，并将第1外延层的厚度用作拟合参数，以使得所得到的反射干涉图案中因声子吸收而产生的折射率的异常分散区域附近的波数区域中出现的包含失真的干涉波形、与数值计算反射干涉图案中相同波数区域中的干涉波形之间没有偏差，此外，将在对数值计算反射干涉图案进行拟合时设定的第1外延层的厚度作为第1外延层的厚度的实际测量值。
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公开(公告)号：CN103890539A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201180074445.9
申请日：2011-10-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01B11/06 , G01B9/02044 , G01B9/02084 , G01B11/0625
Abstract: 本发明涉及一种对形成于半导体基板的多层的外延层的膜厚进行测定的膜厚测定方法，对于在半导体基板(21)上，将与该半导体基板之间不存在实部折射率差的第1及第2外延层(22、23)按该顺序依次层叠而成的测定对象(20)，进行使用傅里叶变换红外分光光度计的反射干涉解析反射解析，并将第1外延层的厚度用作拟合参数，以使得所得到的反射干涉图案中因声子吸收而产生的折射率的异常分散区域附近的波数区域中出现的包含失真的干涉波形、与数值计算反射干涉图案中相同波数区域中的干涉波形之间没有偏差，此外，将在对数值计算反射干涉图案进行拟合时设定的第1外延层的厚度作为第1外延层的厚度的实际测量值。
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公开(公告)号：CN1474445A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03110311.1
申请日：2003-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L29/737 , H01L21/331
CPC classification number: G01R31/2608
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶体基片的评价方法，旨在提供一种可预测半导体晶体基片的电流放大率的初始变化的半导体晶体基片的评价方法。用于异质结双极型晶体管的含有集电极层、基极层与发射极层的半导体晶体基片的评价方法包括：制作含有和基极层相同组成的晶体层的评价用半导体晶体基片的步骤；在所述评价用半导体晶体基片上照射激励光，从所述晶体层测量光致发光的光强度达到饱和之前随时间的变化的步骤；以及从所述时间变化预测用所述半导体晶体基片制造异质结双极型晶体管时的电流放大率随时间的变化的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078032A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480082708.4
申请日：2014-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/02378 , C23C16/42 , C30B29/36 , G01B9/02084 , G01B11/0625 , H01L21/02447 , H01L21/02502 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L22/12
Abstract: 本发明的目的在于提供一种碳化硅外延晶片的制造方法，该碳化硅外延晶片的制造方法能够高精度地形成预定的层厚的多个碳化硅外延层。在本发明中，在n型SiC衬底(1)之上，以使与n型SiC衬底(1)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成第一n型SiC外延层(2)。在第一n型SiC外延层(2)之上，以使与第一n型SiC外延层(2)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成第二n型SiC外延层(3)。
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公开(公告)号：CN1224086C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02160477.0
申请日：2002-12-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/45512 , C23C16/345 , C23C16/44 , C23C16/4586 , C23C16/463 , H01L21/3185
Abstract: 本发明的目的在于：在氮化膜的成膜中减少氨气使用量，改善所获得的氮化膜的膜厚均一性，其实现方法是采用催化剂CVD法、用硅烷气体与氨气在衬底(1)上形成氮化硅膜的方法。在该方法中，让在硅烷气体与氨气中添加了氢气的气体(5)先接触催化剂(6)，然后供给到衬底上。成膜装置(20)中设有反应室(10)。反应室(10)的内部有保持衬底的衬底座(2)，以及催化剂(6)。反应室(10)的外部，设有储存硅烷气体、氨气与氢气的气罐(11～13)。并且，还设有连接气罐和反应室的气体配管(15)，以及将所述气体从气体配管供给到反应室内部的供给部(4)。在此制造装置中，使来自供给部的所述气体先接触催化剂，然后供给衬底，在衬底(1)上形成氮化硅膜。
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公开(公告)号：CN1452222A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN02160477.0
申请日：2002-12-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/45512 , C23C16/345 , C23C16/44 , C23C16/4586 , C23C16/463 , H01L21/3185
Abstract: 本发明的目的在于：在氮化膜的成膜中减少氨气使用量，改善所获得的氮化膜的膜厚均一性，其实现方法是采用催化剂CVD法、用硅烷气体与氨气在衬底1上形成氮化硅膜的方法。在该方法中，让在硅烷气体与氨气中添加了氢气的气体5先接触催化剂6，然后供给到衬底上。成膜装置20中设有反应室10。反应室10的内部有保持衬底的衬底座2，以及催化剂6。反应室10的外部，设有储存硅烷气体、氨气与氢气的气罐11～13。并且，还设有连接气罐和反应室的气体配管15，以及将所述气体从气体配管供给到反应室内部的供给部4。在此制造装置中，使来自供给部的所述气体先接触催化剂，然后供给衬底，在衬底1上形成氮化硅膜。
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公开(公告)号：CN1453833A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03121837.7
申请日：2003-04-21
IPC: H01L21/318
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/345 , C23C16/44
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能以很好的再现性堆积成所需膜质的氮化硅膜的薄膜制作装置及其制作方法。它是在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内，配置发热体和基板，维持该发热体在预定温度，分解或活化由上述气体供给系统供给的原料气体，使氮化硅薄膜堆积在基板表面的化学蒸镀装置和蒸镀方法，其特征是：在上述真空容器内部，配置用以包围上述发热体和基板的内壁，形成成膜空间，设置将原料气体输入上述成膜空间的气体输入手段，同时，设置上述内壁的加热手段和/或冷却手段，形成将该内壁的温度控制在预定值的结构。
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公开(公告)号：CN102197168B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980143257.X
申请日：2009-08-28
CPC classification number: C30B29/36 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B19/10 , Y10T117/1024
Abstract: 一种SiC单晶膜的制造方法，该方法通过使用了以熔体为溶剂的SiC溶液的LPE法来使低掺杂浓度的SiC外延膜在直径2英寸以上的基板上稳定生长，该方法包括在将熔体材料引入到晶体生长炉之前一边加热炉内一边真空排气，直至晶体生长温度下的真空度达到5×10-3Pa以下的工序。此后，将填充有熔体材料的坩埚引入到炉内，形成SiC溶液，使SiC外延膜在浸渍于该溶液中的基板上生长。
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