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公开(公告)号：CN102197168B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980143257.X
申请日：2009-08-28
CPC classification number: C30B29/36 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B19/10 , Y10T117/1024
Abstract: 一种SiC单晶膜的制造方法，该方法通过使用了以熔体为溶剂的SiC溶液的LPE法来使低掺杂浓度的SiC外延膜在直径2英寸以上的基板上稳定生长，该方法包括在将熔体材料引入到晶体生长炉之前一边加热炉内一边真空排气，直至晶体生长温度下的真空度达到5×10-3Pa以下的工序。此后，将填充有熔体材料的坩埚引入到炉内，形成SiC溶液，使SiC外延膜在浸渍于该溶液中的基板上生长。
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公开(公告)号：CN104662213B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201380046179.8
申请日：2013-09-02
CPC classification number: C30B19/04 , C30B9/00 , C30B19/068 , C30B29/36
Abstract: SiC单晶的制造装置(10)被用于利用溶液生长法制造SiC单晶，该SiC单晶的制造装置(10)包括：晶种轴(22A)，其具有用于安装SiC晶种(32)的下端面(22S)；坩埚(14)，其用于收纳Si－C溶液(15)；搅拌构件(24A)，其被浸渍于Si－C溶液(15)；驱动源(20B、24D)，其使坩埚(14)和搅拌构件(24A)中的任一者相对于另一者相对旋转。搅拌构件(24A)的下端配置为比安装于晶种轴(22A)的下端面(22S)的SiC晶种(32)的下端(32a)低。
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公开(公告)号：CN106103815A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013867.3
申请日：2015-03-12
Applicant: 新日铁住金株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C23C14/0635 , C23C16/325 , C30B9/12 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/12 , C30B23/025 , C30B25/20
Abstract: 利用溶液生长法制造SiC单晶时，维持贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率，提高贯通刃状位错向基底面位错的转化率。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法具备：将坩埚(14)内的原料加热熔融，生成SiC溶液(15)的工序；和使SiC籽晶(24)的晶体生长面(24A)与SiC溶液接触，使SiC单晶在晶体生长面上生长的工序。SiC籽晶的晶体结构为4H多晶型。晶体生长面的偏离角为1°以上且为4°以下。使SiC单晶生长时的SiC溶液的温度为1650℃以上且为1850℃以下。使SiC单晶生长时，SiC溶液中，SiC籽晶的正下方的温度梯度大于0℃/cm且为19℃/cm以下。
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公开(公告)号：CN105705685A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480061507.6
申请日：2014-11-12
Applicant: 新日铁住金株式会社
CPC classification number: C30B19/04 , C30B9/06 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 提供一种制造方法，其为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法，其即使使用石墨坩埚、也可以使掺杂有Al的SiC单晶生长。本实施方式的制造方法包括下述工序：在石墨坩埚内生成Si-C溶液的工序；和使Si-C溶液与SiC晶种接触，使SiC单晶在SiC晶种上生长的工序，Si-C溶液以满足式(1)的范围含有Si、Al和Cu，Si-C溶液的余量由C和杂质组成。式(1)中，[Si]、[Al]和[Cu]分别表示Si、Al和Cu的摩尔％含量。0.03
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公开(公告)号：CN105593414A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480052509.9
申请日：2014-08-27
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/062 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02598 , H01L21/02609 , H01L21/02628 , H01L29/045 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供了一种具有大的生长厚度且不包含夹杂物的SiC单晶。所述SiC单晶是通过溶液法生长的SiC单晶，其中，SiC单晶的{0001}生长面中的{1-100}面的合计长度M与SiC单晶的生长面的外周长度P满足M/P≤0.70的关系，并且SiC单晶的生长方向的长度为2mm以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104471117A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380035985.5
申请日：2013-07-10
CPC classification number: C30B15/32 , C30B9/06 , C30B15/30 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
Abstract: SiC单晶体的制造装置(10)用于溶液生长法。SiC单晶体的制造装置(10)包括晶种轴(28)和坩埚(14)。晶种轴(28)具有供SiC晶种(32)安装的下端面(28S)。坩埚(14)用于收纳Si－C溶液(15)。晶种轴(28)包括筒部(28A)、底部(28B)和低导热性构件(28C)。底部(28B)配置于筒部(28A)的下端，且具有下端面(28S)。低导热性构件(28C)配置于底部(28B)的上表面，且具有比底部(28B)的热传导率低的热传导率。利用该制造装置，能够使SiC晶种的结晶生长面内的温度不易出现偏差。
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公开(公告)号：CN103282559A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062930.4
申请日：2011-12-26
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将坩埚侧壁的厚度设为T（mm），将坩埚的内半径设为R（mm）时，控制装置控制感应加热装置，以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式（1）。（D1－T）×D2／R＞1（1）在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义。D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）在此，σc是侧壁的导电率（S／m），σs是SiC溶液的导电率（S／m）。μc是侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。
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公开(公告)号：CN107075726A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056466.6
申请日：2015-10-13
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B19/062 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/08 , C30B29/36
Abstract: 本发明提供即使在长时间地进行晶体生长的情况下也能够减少Si－C溶液的温度偏差的、SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法包括以下工序：准备工序，在该准备工序中，准备制造装置(100)，该制造装置(100)包括容纳有Si－C溶液的原料的坩埚(7)、在下端安装有晶种(9)的晶种轴(41)、以及在中央具有供晶种轴(41)穿过的通孔(60A)且能够配置于坩埚(7)内的中盖(60)；生成工序，在该生成工序中，对坩埚(7)内的原料进行加热而生成Si－C溶液(8)；生长工序，在该生长工序中，使晶种(9)与Si－C溶液(8)相接触，从而在晶种(9)上制造SiC单晶；以及中盖调整工序，在生长工序中实施该中盖调整工序，使中盖(60)和坩埚(7)中的任一者相对于另一者在高度方向上相对移动，从而将中盖(60)与Si－C溶液(8)之间的高度方向距离的变动幅度调整到第1基准范围内。
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公开(公告)号：CN107075723A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580048515.1
申请日：2015-08-31
Applicant: 新日铁住金株式会社
Abstract: 本实施方式的制造方法具备生成工序(S1)、第1生长工序(S2)、恢复工序(S3)和第2生长工序(S4)。生成工序(S1)中，在坩埚内生成含有Si、Al和C的Si‑C溶液。第1生长工序(S2)中，将籽晶轴下降，使安装于籽晶轴的下端的SiC晶种与Si‑C溶液接触后，使Al掺杂的p型SiC单晶在SiC晶种上生长。恢复工序(S3)中，在第1生长工序(S2)后，提高Si‑C溶液的Al浓度。第2生长工序(S4)中，在恢复工序(S3)后，使Al掺杂的p型SiC单晶继续生长。
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公开(公告)号：CN103282559B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180062930.4
申请日：2011-12-26
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将坩埚侧壁的厚度设为T（mm），将坩埚的内半径设为R（mm）时，控制装置控制感应加热装置，以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式（1）。（D1－T）×D2／R＞1（1）在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义。D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）在此，σc是侧壁的导电率（S／m），σs是SiC溶液的导电率（S／m）。μc是侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。
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