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公开(公告)号：CN100413036C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN03121837.7
申请日：2003-04-21
IPC: H01L21/318
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/345 , C23C16/44
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能以很好的再现性堆积成所需膜质的氮化硅膜的薄膜制作装置及其制作方法。它是在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内，配置发热体和基板，维持该发热体在预定温度，分解或活化由上述气体供给系统供给的原料气体，使氮化硅薄膜堆积在基板表面的化学蒸镀装置和蒸镀方法，其特征是：在上述真空容器内部，配置用以包围上述发热体和基板的内壁，形成成膜空间，设置将原料气体输入上述成膜空间的气体输入手段，同时，设置上述内壁的加热手段和/或冷却手段，形成将该内壁的温度控制在预定值的结构。
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公开(公告)号：CN1453833A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03121837.7
申请日：2003-04-21
IPC: H01L21/318
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/345 , C23C16/44
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能以很好的再现性堆积成所需膜质的氮化硅膜的薄膜制作装置及其制作方法。它是在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内，配置发热体和基板，维持该发热体在预定温度，分解或活化由上述气体供给系统供给的原料气体，使氮化硅薄膜堆积在基板表面的化学蒸镀装置和蒸镀方法，其特征是：在上述真空容器内部，配置用以包围上述发热体和基板的内壁，形成成膜空间，设置将原料气体输入上述成膜空间的气体输入手段，同时，设置上述内壁的加热手段和/或冷却手段，形成将该内壁的温度控制在预定值的结构。
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公开(公告)号：CN111602216A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880086459.4
申请日：2018-01-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 户塚正裕
Abstract: 就半导体装置的MIM电容器或MIS电容器而言，在作为电容器的结构要素的上部电极(1)和下部电极(2)之间，作为总膜厚小于100nm的薄层而构成包含非晶质高介电常数绝缘膜(6、6a、6b)、多个SiO2等的非晶质高耐压膜(3、3a、3c)、非晶质高介电常数缓冲膜(5、5a、5b)的电介质层，并且由于该薄层的高可靠化和半导体装置内的占有面积的缩小，因此使所述非晶质高介电常数绝缘膜(6、6a、6b)的特性为泄漏电流大且耐压低。
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公开(公告)号：CN103972210A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410043288.0
申请日：2014-01-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 户塚正裕
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H01L21/02
CPC classification number: H01L28/60 , H01L27/016
Abstract: 本发明的目的是提供能防止在布线上或MIM电容器上重叠形成的上部MIM电容器的上部电极从电介质膜浮起或剥离的半导体装置及该半导体装置的制造方法。具备：基板（13）；在该基板上部分地形成的金属膜（14）；第一电介质膜（16），具有该金属膜上的第一部分（16a）和在该基板上以与该第一部分连接的方式形成的第二部分(16b)；下部电极（18），形成在该第一部分上；第二电介质膜(20)，具有该下部电极上的第三部分（20a）和在该第一电介质膜上以与该第三部分连接的方式形成的第四部分（20b）；在该第二电介质膜上部分地形成的上部电极（24）；加强膜（22），在该第二电介质膜上以与该上部电极的侧面相接的方式形成。
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公开(公告)号：CN115244665B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202080098358.6
申请日：2020-03-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 户塚正裕
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 具备在半导体基板(10)之上依次交替地层叠相同数量的均具有导电性的第一层(14)和第二层(16)而成的密接层(18)。具备形成于密接层(18)之上的金属层(24)。第一层(14)由包含构成半导体基板(10)的元素的材料构成。第二层(16)与金属层(24)之间的密接性比第一层(14)高。密接层(18)具有合计4层以上的第一层(14)以及第二层(16)。在构成密接层(18)的第一层(14)以及第二层(16)中，若除去与金属层(24)接触的第二层(16)，则与半导体基板(10)接触的第一层(14)的膜厚最厚，若除去与半导体基板(10)接触的第一层(14)，则与金属层(24)接触的第二层(16)的膜厚最厚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101853879B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010003836.9
申请日：2007-04-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/0649
Abstract: 本发明提供一种价格低廉的场效应晶体管及其制造方法，通过耐湿绝缘膜的厚膜层叠对栅电极周围进行防湿处理，而且可以抑制栅极电容的增大。上述场效应晶体管是在半导体层上配设有T型或Γ型栅电极、通过n型参杂的半导体区设置的漏电极和源电极的场效应晶体管，具有将上述栅电极的周围和上述半导体层的表面覆盖的膜厚小于等于50nm的绝缘膜和以催化剂CVD法堆积而将上述绝缘膜覆盖的氮化硅膜，利用上述氮化硅膜，在上述栅电极的相当于张开的伞罩的部分和上述半导体层之间形成空洞。
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公开(公告)号：CN101740356A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910161894.1
申请日：2009-08-07
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 户塚正裕
CPC classification number: H01L28/40
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够容易地制造如下半导体装置的方法，该半导体装置在设置晶体管或布线的部位不形成由相对介电常数是10以上的high-k材料构成的MIM电容器的高介电常数膜。本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在半导体衬底上形成下电极的工序；在上述下电极上涂覆光抗蚀剂的工序；与上述下电极的外周部相比在中央侧在上述光抗蚀剂形成开口部的工序；成膜由相对介电常数为10以上的high-k材料构成的高介电常数膜的工序；以与上述下电极的外周部相比在中央侧残留高介电常数膜的方式，进行剥离的工序；以及在通过上述剥离而残留的上述高介电常数膜上形成上电极的工序。
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公开(公告)号：CN1224086C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02160477.0
申请日：2002-12-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/45512 , C23C16/345 , C23C16/44 , C23C16/4586 , C23C16/463 , H01L21/3185
Abstract: 本发明的目的在于：在氮化膜的成膜中减少氨气使用量，改善所获得的氮化膜的膜厚均一性，其实现方法是采用催化剂CVD法、用硅烷气体与氨气在衬底(1)上形成氮化硅膜的方法。在该方法中，让在硅烷气体与氨气中添加了氢气的气体(5)先接触催化剂(6)，然后供给到衬底上。成膜装置(20)中设有反应室(10)。反应室(10)的内部有保持衬底的衬底座(2)，以及催化剂(6)。反应室(10)的外部，设有储存硅烷气体、氨气与氢气的气罐(11～13)。并且，还设有连接气罐和反应室的气体配管(15)，以及将所述气体从气体配管供给到反应室内部的供给部(4)。在此制造装置中，使来自供给部的所述气体先接触催化剂，然后供给衬底，在衬底(1)上形成氮化硅膜。
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公开(公告)号：CN1452222A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN02160477.0
申请日：2002-12-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/318 , C23C16/34
CPC classification number: C23C16/45512 , C23C16/345 , C23C16/44 , C23C16/4586 , C23C16/463 , H01L21/3185
Abstract: 本发明的目的在于：在氮化膜的成膜中减少氨气使用量，改善所获得的氮化膜的膜厚均一性，其实现方法是采用催化剂CVD法、用硅烷气体与氨气在衬底1上形成氮化硅膜的方法。在该方法中，让在硅烷气体与氨气中添加了氢气的气体5先接触催化剂6，然后供给到衬底上。成膜装置20中设有反应室10。反应室10的内部有保持衬底的衬底座2，以及催化剂6。反应室10的外部，设有储存硅烷气体、氨气与氢气的气罐11～13。并且，还设有连接气罐和反应室的气体配管15，以及将所述气体从气体配管供给到反应室内部的供给部4。在此制造装置中，使来自供给部的所述气体先接触催化剂，然后供给衬底，在衬底1上形成氮化硅膜。
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公开(公告)号：CN101853879A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010003836.9
申请日：2007-04-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/0649
Abstract: 本发明提供一种价格低廉的场效应晶体管及其制造方法，通过耐湿绝缘膜的厚膜层叠对栅电极周围进行防湿处理，而且可以抑制栅极电容的增大。上述场效应晶体管是在半导体层上配设有T型或Γ型栅电极、通过n型参杂的半导体区设置的漏电极和源电极的场效应晶体管，具有将上述栅电极的周围和上述半导体层的表面覆盖的膜厚小于等于50nm的绝缘膜和以催化剂CVD法堆积而将上述绝缘膜覆盖的氮化硅膜，利用上述氮化硅膜，在上述栅电极的相当于张开的伞罩的部分和上述半导体层之间形成空洞。
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