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公开(公告)号：CN112217095A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010638757.9
申请日：2020-07-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种量子级联激光器，该量子级联激光器具备激光器结构体，该激光器结构体具有第一端面以及所述第一端面的相反侧的第二端面并具有半导体叠层及半导体支承体，所述半导体支承体搭载所述半导体叠层，所述激光器结构体包括半导体台面以及埋入区域，所述半导体台面包含芯层，所述埋入区域埋入所述半导体台面，所述激光器结构体包括第一区域、第二区域以及第三区域，所述第三区域设置在所述第一区域与所述第二区域之间，所述第一区域包括所述第一端面，所述半导体台面在所述第一区域包括第一条纹部，在所述第二区域包括第二条纹部，并且在所述第三区域包括第一锥部。
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公开(公告)号：CN109119895A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810638560.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及量子级联激光器。一种量子级联激光器，包括：具有主表面、背表面和衬底端面的衬底，所述衬底端面沿着和与所述第一方向交叉的第二方向交叉的参考平面延伸；具有沿着所述参考平面延伸的层叠体端面的半导体层叠体；设置在所述半导体层叠体上的第一电极；设置在所述衬底上的第二电极；设置在所述层叠体端面和所述第一电极上的第一绝缘膜；设置在所述第一绝缘膜、所述层叠体端面，所述衬底端面和所述第二电极上的金属膜；以及，设置在所述第一电极上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜具有在所述金属膜和所述半导体层叠体之间的所述第一电极上的部分。在所述第一电极上，所述第二绝缘膜具有大于所述第一绝缘膜的厚度的厚度。
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公开(公告)号：CN109149367A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810621937.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 吉永弘幸
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3402 , H01S5/0202 , H01S5/0206 , H01S5/02272 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/1039 , H01S5/12 , H01S5/2224 , H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/3401 , H01S5/343 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供量子级联激光器、发光设备、制作半导体激光器的方法。量子级联激光器包括：激光器结构，所述激光器结构具有第一区、第二区和第三区，第一区具有端面；高比电阻区，所述高比电阻区被设置在第一区和第二区的主表面上；金属层，所述金属层被设置在第三区的主表面上；介电膜，所述介电膜被设置在端面和高比电阻区上；以及反射金属膜，所述反射金属膜被设置在介电膜、端面和高比电阻区上。第一至第三区被依次布置在第一轴的方向上。激光器结构具有半导体台面和半导体基部。半导体基部安装半导体台面。介电膜在第一区与第二区之间的边界处具有水平差，并且台阶在与第一轴的方向交叉的第二轴的方向上延伸。
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公开(公告)号：CN109149354A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810622630.0
申请日：2018-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 吉永弘幸
Abstract: 本发明涉及量子级联激光器、发光设备、制作量子级联激光器的方法。量子级联激光器包括：激光器结构，所述激光器结构包括第一区、第二区和第三区，第一区具有端面；高比电阻区，所述高比电阻区被设置在第一区和第二区上；金属层，所述金属层被设置在第三区上；介电膜，所述介电膜被设置在端面和高比电阻区上；以及反射金属膜，所述反射金属膜被设置在介电膜、端面和高比电阻区上。第一至第三区被依次布置在第一轴的方向上。激光器结构具有在第二区与第三区之间的边界上的台阶，并且激光器结构包括半导体台面和导电基部。半导体台面具有芯层，并且导电基部用于安装半导体台面。高比电阻区具有比导电基部的比电阻大的比电阻。
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公开(公告)号：CN109149367B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201810621937.9
申请日：2018-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 吉永弘幸
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明提供量子级联激光器、发光设备、制作半导体激光器的方法。量子级联激光器包括：激光器结构，所述激光器结构具有第一区、第二区和第三区，第一区具有端面；高比电阻区，所述高比电阻区被设置在第一区和第二区的主表面上；金属层，所述金属层被设置在第三区的主表面上；介电膜，所述介电膜被设置在端面和高比电阻区上；以及反射金属膜，所述反射金属膜被设置在介电膜、端面和高比电阻区上。第一至第三区被依次布置在第一轴的方向上。激光器结构具有半导体台面和半导体基部。半导体基部安装半导体台面。介电膜在第一区与第二区之间的边界处具有水平差，并且台阶在与第一轴的方向交叉的第二轴的方向上延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109149354B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810622630.0
申请日：2018-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 吉永弘幸
Abstract: 本发明涉及量子级联激光器、发光设备、制作量子级联激光器的方法。量子级联激光器包括：激光器结构，所述激光器结构包括第一区、第二区和第三区，第一区具有端面；高比电阻区，所述高比电阻区被设置在第一区和第二区上；金属层，所述金属层被设置在第三区上；介电膜，所述介电膜被设置在端面和高比电阻区上；以及反射金属膜，所述反射金属膜被设置在介电膜、端面和高比电阻区上。第一至第三区被依次布置在第一轴的方向上。激光器结构具有在第二区与第三区之间的边界上的台阶，并且激光器结构包括半导体台面和导电基部。半导体台面具有芯层，并且导电基部用于安装半导体台面。高比电阻区具有比导电基部的比电阻大的比电阻。
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公开(公告)号：CN112787219A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011209595.3
申请日：2020-11-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/34 , H01S5/20 , H01S5/02253
Abstract: 本发明提供一种量子级联激光器，其具备：激光器结构体，具有在第1方向上射出激光的出射面；以及透镜，具有接受来自所述出射面的所述激光的入射面以及射出会聚后的所述激光的凸状面，所述激光器结构体具备半导体基板以及台面型波导，所述台面型波导设置于所述半导体基板的主面的第1区域上，并在所述第1方向上延伸，所述透镜包括半导体，并设置于所述半导体基板的所述主面的第2区域上，所述第1区域和所述第2区域在所述第1方向上排列。
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公开(公告)号：CN110556708B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910455202.8
申请日：2019-05-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/183
Abstract: 一种垂直腔面发射激光器，包括：具有主表面的衬底以及在主表面上安装的柱结构。该柱结构包括有源层和载流子限制结构。载流子限制结构包括第一区域以及具有比第一区域更低的电阻率的第二区域。第一区域具有边缘以及第一至第三参考线段。第一参考线段的第一长度是连接边缘上的任何两个点并在沿着III‑V族半导体的[1‑10]方向上延伸的线段的长度当中最长的。第一长度大于第二参考线段的第二长度与第三参考线段的第三长度之和。第三长度小于第二长度并且是零或更大。
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公开(公告)号：CN112152072A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010566281.2
申请日：2020-06-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供在输送面发射激光器时，不会以倾斜的状态吸附于夹头的面发射激光器。面发射激光器具有基板(20)和基板(20)上的半导体层(21)，在利用俯视观察时通过基板(20)的中心(20a)的第一方向的直线(L1)和与第一方向正交的通过基板(20)的中心(20a)的第二方向的直线(L2)将基板(20)分为第一区域(111a)、第二区域(111b)、第三区域(111c)和第四区域(111d)的情况下，在第一区域(111a)设置有第一电极焊盘(43)，在第二区域(111b)设置有第二电极焊盘(53)，在第三区域(111c)设置有第一虚设焊盘(161)，在第四区域(111d)设置有第二虚设焊盘(162)。
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公开(公告)号：CN110858701A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910783085.8
申请日：2019-08-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 吉永弘幸
Abstract: 本发明涉及一种量子级联半导体激光器，包括：激光器结构，其具有第一区域、第二区域和第三区域，该第一区域包括端面；金属层，其在第三区域中被设置于主表面上；分离区域，其被设置在主表面上；和反射器，其被设置在激光器结构上。反射器包括设置在端面和分离区域上的介电膜和金属反射膜。分离区域具有第一部分、第二部分和第三部分。金属层具有在第三区域中与端面分离的边缘。接触层具有在第三区域中与端面分离的边缘。第一部分在半导体台面上比第二部分在半导体台面上方突出的更多。第三部分在半导体台面上比第二部分在半导体台面上方突出的更多。
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