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公开(公告)号：CN112152083A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010587213.4
申请日：2020-06-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 辻幸洋
IPC: H01S5/183 , H01L23/544 , H01L21/66 , H01S5/00 , G01N21/88
Abstract: 本发明涉及垂直腔表面发射激光器、其制造方法及其检查方法。垂直腔表面发射激光器包括设置在半导体层上的第一绝缘膜，第一绝缘膜具有凹部、设置在第一绝缘膜的凹部中的识别标记，识别标记由金属层形成，以及设置在半导体层的上方并且覆盖第一绝缘膜和金属层的第二绝缘膜。金属层具有位于等于或低于第一绝缘膜的上表面的高度处的上表面。
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公开(公告)号：CN118693041A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410298886.6
申请日：2024-03-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 辻幸洋
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L27/085 , H01L29/778 , H01L21/8232
Abstract: 本公开涉及晶体管和晶体管的制造方法。晶体管具备半导体层叠部、源电极、漏电极、栅电极、第一多晶硅膜、电介质层、第一插塞以及第一布线。源电极和漏电极设于半导体层叠部上。栅电极在半导体层叠部上设于源电极与漏电极之间。第一多晶硅膜设于第一电极上，该第一电极是栅电极、源电极以及漏电极中的一个。电介质层设于半导体层叠部上，覆盖栅电极、源电极、漏电极以及第一多晶硅膜。电介质层具有形成于第一多晶硅膜上的第一开口。第一插塞包含钨，埋入于第一开口并与第一多晶硅膜相接。第一布线设于电介质层上，与第一插塞相接。
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公开(公告)号：CN116525439A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202211247275.6
申请日：2022-10-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 辻幸洋
IPC: H01L21/336 , H01L29/20 , H01L29/08 , H01L21/311
Abstract: 半导体装置的制造方法包括以下工序：在基板的上方形成电子渡越层；在所述电子渡越层的上方形成电子供给层；在所述电子渡越层的上方形成保护膜；在所述保护膜之上形成氧化锌膜；在所述氧化锌膜之上形成牺牲膜；在所述牺牲膜和所述氧化锌膜形成第一开口和第二开口；在所述保护膜、所述电子供给层以及所述电子渡越层形成第三开口和第四开口；通过使用了弱酸性溶液的酸处理，在第一部分形成第一空隙部，在第二部分形成第二空隙部；在所述酸处理之后，在所述第三开口的底面之上形成源极区域，在所述第四开口的底面之上形成漏极区域；以及在形成所述源极区域和所述漏极区域的工序之后，去除所述氧化锌膜。
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公开(公告)号：CN109119895A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810638560.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及量子级联激光器。一种量子级联激光器，包括：具有主表面、背表面和衬底端面的衬底，所述衬底端面沿着和与所述第一方向交叉的第二方向交叉的参考平面延伸；具有沿着所述参考平面延伸的层叠体端面的半导体层叠体；设置在所述半导体层叠体上的第一电极；设置在所述衬底上的第二电极；设置在所述层叠体端面和所述第一电极上的第一绝缘膜；设置在所述第一绝缘膜、所述层叠体端面，所述衬底端面和所述第二电极上的金属膜；以及，设置在所述第一电极上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜具有在所述金属膜和所述半导体层叠体之间的所述第一电极上的部分。在所述第一电极上，所述第二绝缘膜具有大于所述第一绝缘膜的厚度的厚度。
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公开(公告)号：CN116741627A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202211723158.2
申请日：2022-12-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 辻幸洋
IPC: H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/423
Abstract: 半导体装置的制造方法具有以下工序：在基板的上方形成半导体层；在半导体层之上形成源电极和漏电极；在源电极与漏电极之间形成覆盖半导体层的表面的第一绝缘膜；在第一绝缘膜之上形成第二绝缘膜；在第二绝缘膜之上形成掩模，该掩模在源电极与漏电极之间具有开口；通过经由开口的刻蚀，在第一绝缘膜形成第一栅极开口，第二绝缘膜形成第二栅极开口；以及在第一绝缘膜和第二绝缘膜之上形成经由第一栅极开口和第二栅极开口与半导体层肖特基接触的栅电极，开口具有第一侧面和比第一侧面靠漏电极侧的第二侧面，第一侧面与上表面所成的角度比第二侧面与上表面所成的角度大，在刻蚀中，第二绝缘膜的刻蚀速度比第一绝缘膜的刻蚀速度高。
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公开(公告)号：CN115706146A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210937308.3
申请日：2022-08-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 辻幸洋
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有基板、半导体层、绝缘层、源电极和漏电极以及栅电极，半导体层具有电子渡越层和电子供给层，在电子供给层和电子渡越层形成有第一开口和第二开口，在绝缘层形成有第三开口和第四开口，第一开口具有第二开口侧的第一缘，第二开口具有第一开口侧的第二缘，第三开口具有第四开口侧的第三缘，第四开口具有第三开口侧的第四缘，半导体层还具有源极区域和漏极区域，在俯视观察下，第一开口的第一缘位于比第三开口的第三缘离第二开口近的位置，第二开口的第二缘位于比第四开口的第四缘离第一开口近的位置，源极区域的一部分与绝缘层重叠，漏极区域的一部分与绝缘层重叠。
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公开(公告)号：CN112152074A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010586151.5
申请日：2020-06-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 辻幸洋
IPC: H01S5/042 , H01S5/183 , H01S5/00 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明涉及垂直腔表面发射激光器及其制造方法、模块的制造方法和拾取垂直腔表面发射激光器的方法。垂直腔表面发射激光器包括：设置在基板上的发光部；设置在基板上的第一焊盘，该第一焊盘被电连接至发光部；以及设置在基板上的第二焊盘，该第二焊盘电被与发光部和第一焊盘电隔离。
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公开(公告)号：CN112152069A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010579005.X
申请日：2020-06-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 辻幸洋
Abstract: 本发明涉及面发光激光器及其制造方法，一种面发光激光器，具备：基板；半导体层，设置在所述基板上，包括下部反射镜层、活性层及上部反射镜层，形成台面；第一绝缘膜，将所述台面覆盖；及第二绝缘膜，将所述第一绝缘膜覆盖，所述台面在所述基板扩展的方向上具有多角形的形状，所述台面的在所述基板扩展的方向上的顶点具有倒角部。
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