公开(公告)号：CN110556708B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201910455202.8

申请日：2019-05-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 大西裕 ,  吉永弘幸 ,  田中礼

IPC: H01S5/183

Abstract: 一种垂直腔面发射激光器，包括：具有主表面的衬底以及在主表面上安装的柱结构。该柱结构包括有源层和载流子限制结构。载流子限制结构包括第一区域以及具有比第一区域更低的电阻率的第二区域。第一区域具有边缘以及第一至第三参考线段。第一参考线段的第一长度是连接边缘上的任何两个点并在沿着III‑V族半导体的[1‑10]方向上延伸的线段的长度当中最长的。第一长度大于第二参考线段的第二长度与第三参考线段的第三长度之和。第三长度小于第二长度并且是零或更大。

公开(公告)号：CN110556708A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910455202.8

申请日：2019-05-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 大西裕 ,  吉永弘幸 ,  田中礼

IPC: H01S5/183

Abstract: 一种垂直腔面发射激光器，包括：具有主表面的衬底以及在主表面上安装的柱结构。该柱结构包括有源层和载流子限制结构。载流子限制结构包括第一区域以及具有比第一区域更低的电阻率的第二区域。第一区域具有边缘以及第一至第三参考线段。第一参考线段的第一长度是连接边缘上的任何两个点并在沿着III-V族半导体的[1-10]方向上延伸的线段的长度当中最长的。第一长度大于第二参考线段的第二长度与第三参考线段的第三长度之和。第三长度小于第二长度并且是零或更大。