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公开(公告)号：CN102646924A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210040857.7
申请日：2012-02-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 大西裕
IPC: H01S5/028
Abstract: 本发明公开了一种在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法。该方法包括下述步骤：通过在基板的主表面上形成多层半导体结构来制备外延晶片；在多层半导体结构上形成条状电极和焊盘，条状电极的纵向沿着第一方向延伸并且条状电极沿着与第一方向垂直的第二方向排列，焊盘分别与条状电极电连接；在多层半导体结构上形成凸出部分；通过沿着第二方向切割外延晶片来形成激光二极管(LD)线阵；将LD线阵排列在支撑表面上以便LD线阵的侧表面朝向该支撑表面的法向，并且将间隔物设置在LD线阵之间；以及在LD线阵的侧表面上形成涂布膜。凸出部分与基板的主表面相距的高度大于条状电极的高度。此外，激光二极管线阵具有至少一个凸出部分。
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公开(公告)号：CN110556708A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910455202.8
申请日：2019-05-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/183
Abstract: 一种垂直腔面发射激光器，包括：具有主表面的衬底以及在主表面上安装的柱结构。该柱结构包括有源层和载流子限制结构。载流子限制结构包括第一区域以及具有比第一区域更低的电阻率的第二区域。第一区域具有边缘以及第一至第三参考线段。第一参考线段的第一长度是连接边缘上的任何两个点并在沿着III-V族半导体的[1-10]方向上延伸的线段的长度当中最长的。第一长度大于第二参考线段的第二长度与第三参考线段的第三长度之和。第三长度小于第二长度并且是零或更大。
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公开(公告)号：CN102646924B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201210040857.7
申请日：2012-02-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 大西裕
IPC: H01S5/028
Abstract: 本发明公开了一种在半导体光学器件的端面上形成涂布膜的方法。该方法包括下述步骤：通过在基板的主表面上形成多层半导体结构来制备外延晶片；在多层半导体结构上形成条状电极和焊盘，条状电极的纵向沿着第一方向延伸并且条状电极沿着与第一方向垂直的第二方向排列，焊盘分别与条状电极电连接；在多层半导体结构上形成凸出部分；通过沿着第二方向切割外延晶片来形成激光二极管(LD)线阵；将LD线阵排列在支撑表面上以便LD线阵的侧表面朝向该支撑表面的法向，并且将间隔物设置在LD线阵之间；以及在LD线阵的侧表面上形成涂布膜。凸出部分与基板的主表面相距的高度大于条状电极的高度。此外，激光二极管线阵具有至少一个凸出部分。
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公开(公告)号：CN110556708B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910455202.8
申请日：2019-05-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/183
Abstract: 一种垂直腔面发射激光器，包括：具有主表面的衬底以及在主表面上安装的柱结构。该柱结构包括有源层和载流子限制结构。载流子限制结构包括第一区域以及具有比第一区域更低的电阻率的第二区域。第一区域具有边缘以及第一至第三参考线段。第一参考线段的第一长度是连接边缘上的任何两个点并在沿着III‑V族半导体的[1‑10]方向上延伸的线段的长度当中最长的。第一长度大于第二参考线段的第二长度与第三参考线段的第三长度之和。第三长度小于第二长度并且是零或更大。
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公开(公告)号：CN108306086A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810022547.X
申请日：2018-01-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 大西裕
IPC: H01P3/123
Abstract: 本发明披露一种用于传输电磁波的线缆。该线缆是用于传输电磁波的线缆，并且该线缆包括：芯部，其沿线缆的纵向延伸，芯部包括介电体；套管，其在包围芯部的同时沿线缆的纵向延伸，从而在芯部与套管之间提供空腔，套管包括介电体；以及支撑件，其在套管中的空腔中支撑芯部，支撑件包括介电体。
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