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公开(公告)号：CN113728418B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202080030627.5
申请日：2020-03-13
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/764 , H10D30/01 , H10D30/47 , H10D30/87
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备处理对象物的工序，所述处理对象物具备：蚀刻对象物，其具有由导电性的III族氮化物构成的被蚀刻面，在被蚀刻面上配置有被蚀刻区域；导电性构件，其以与蚀刻对象物的同被蚀刻区域电连接的导电性区域的至少一部分表面接触的方式设置；以及，掩膜，其在被蚀刻面上形成，由非导电性材料构成；以及，在处理对象物浸渍于包含过二硫酸根离子作为接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液中，且被蚀刻区域和导电性构件与蚀刻液接触的状态下，隔着蚀刻液对被蚀刻面照射光，由此对构成被蚀刻区域的III族氮化物进行蚀刻的工序，划定被蚀刻区域的边缘不包括导电性构件的边缘，由掩膜的边缘构成。
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公开(公告)号：CN114467183A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202080069088.6
申请日：2020-10-09
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/311 , H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 半导体装置具有：衬底；形成于衬底上，由Ⅲ族氮化物构成的Ⅲ族氮化物层；形成于Ⅲ族氮化物层的凹部，Ⅲ族氮化物层具有：沟道层；形成于沟道层上，在所述沟道层形成二维电子气体的阻挡层，阻挡层具有：由氮化铝镓构成的第1层；形成于第1层上，由添加有n型杂质的氮化铝镓构成的第2层，凹部通过除去第2层的厚度的全部或一部分而形成，在凹部的下方，配置有第1层的厚度的至少一部分。
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公开(公告)号：CN114270478B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202080056785.8
申请日：2020-07-06
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/3063
Abstract: 结构体的制造方法，具有对蚀刻对象物进行光电化学蚀刻的工序，该工序包括：向保持有至少表面由Ⅲ族氮化物构成的蚀刻对象物并能够旋转地进行保持的容器中，注入含接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液，使所述表面浸渍于所述蚀刻液中的工序；在所述蚀刻对象物和所述蚀刻液静止的状态下，对于被所述容器保持的所述蚀刻对象物的所述表面照射光的工序；对所述表面照射所述光后，使所述容器旋转而使所述蚀刻液飞散至外周侧，由此从所述容器排出所述蚀刻液的工序。
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公开(公告)号：CN119866027A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411255916.1
申请日：2024-09-09
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 一种高品质的半导体层叠物、半导体元件和半导体层叠物的制造方法。半导体层叠物，具备：包含碳化硅，具有主面的衬底；设于衬底的主面上，包含氮化铝的晶体的第一层；设于第一层上，包含氮化铝镓、氮化铝铟或氮化铝铟镓中的任意一种晶体的第二层；设于第二层上，包含氮化镓的晶体的第三层，第一层在27℃下沿着主面的方向上具有拉伸应变。
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公开(公告)号：CN114207784B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202080054546.9
申请日：2020-07-06
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/3063 , H10D30/47 , H10D30/87 , H10D30/01
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：通过对由III族氮化物构成的构件的表面实施第一蚀刻，从而形成凹部的工序；以及，通过对凹部的底部实施第二蚀刻，从而使底部平坦化的工序，在形成凹部的工序中，在凹部的底部形成平坦部和凸部，所述凸部因与平坦部相比难以被第一蚀刻所蚀刻，从而相对于平坦部隆起，在使底部平坦化的工序中，通过利用第二蚀刻来蚀刻凸部，从而使凸部变低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113728417B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202080030617.1
申请日：2020-03-13
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物构成的蚀刻对象物的工序；以及，在蚀刻对象物浸渍于包含过二硫酸根离子的蚀刻液中的状态下，隔着蚀刻液对蚀刻对象物的表面照射光，从而由过二硫酸根离子生成硫酸根离子自由基，并使III族氮化物中生成空穴，由此对III族氮化物进行蚀刻的工序，在对III族氮化物进行蚀刻的工序中，通过使III族氮化物的蚀刻的开始时间点的蚀刻液为酸性，从而在III族氮化物被蚀刻的期间内维持蚀刻液为酸性的状态，在表面上形成有抗蚀剂掩膜的状态下进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN115066741A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202180013632.X
申请日：2021-02-12
IPC: H01L21/3063
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备至少上表面由Ⅲ族氮化物晶体构成的蚀刻对象物、和作为接受电子的氧化剂而含有过二硫酸根离子的碱性或酸性的蚀刻液的工序；在使所述蚀刻对象物旋转，并且所述蚀刻对象物的上表面浸渍于以生成硫酸根自由基的方式被加热后的所述蚀刻液中的状态下，对于蚀刻对象物的上表面照射光的工序。
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公开(公告)号：CN114270478A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080056785.8
申请日：2020-07-06
IPC: H01L21/3063
Abstract: 结构体的制造方法，具有对蚀刻对象物进行光电化学蚀刻的工序，该工序包括：向保持有至少表面由Ⅲ族氮化物构成的蚀刻对象物并能够旋转地进行保持的容器中，注入含接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液，使所述表面浸渍于所述蚀刻液中的工序；在所述蚀刻对象物和所述蚀刻液静止的状态下，对于被所述容器保持的所述蚀刻对象物的所述表面照射光的工序；对所述表面照射所述光后，使所述容器旋转而使所述蚀刻液飞散至外周侧，由此从所述容器排出所述蚀刻液的工序。
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公开(公告)号：CN114207784A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080054546.9
申请日：2020-07-06
IPC: H01L21/3063 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：通过对由III族氮化物构成的构件的表面实施第一蚀刻，从而形成凹部的工序；以及，通过对凹部的底部实施第二蚀刻，从而使底部平坦化的工序，在形成凹部的工序中，在凹部的底部形成平坦部和凸部，所述凸部因与平坦部相比难以被第一蚀刻所蚀刻，从而相对于平坦部隆起，在使底部平坦化的工序中，通过利用第二蚀刻来蚀刻凸部，从而使凸部变低。
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公开(公告)号：CN113728417A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202080030617.1
申请日：2020-03-13
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物构成的蚀刻对象物的工序；以及，在蚀刻对象物浸渍于包含过二硫酸根离子的蚀刻液中的状态下，隔着蚀刻液对蚀刻对象物的表面照射光，从而由过二硫酸根离子生成硫酸根离子自由基，并使III族氮化物中生成空穴，由此对III族氮化物进行蚀刻的工序，在对III族氮化物进行蚀刻的工序中，通过使III族氮化物的蚀刻的开始时间点的蚀刻液为酸性，从而在III族氮化物被蚀刻的期间内维持蚀刻液为酸性的状态，在表面上形成有抗蚀剂掩膜的状态下进行蚀刻。
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