公开(公告)号：CN112635297A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011002525.0

申请日：2020-09-22

Applicant: 赛奥科思有限公司 ,  住友化学株式会社

Inventor： 今野泰一郎 ,  木村健司 ,  藤仓序章

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及氮化物半导体层叠结构、氮化物半导体发光元件及氮化物半导体层叠结构的制造方法。提供能够实现形变小、适于制造紫外LED的AlN模板的技术。一种氮化物半导体层叠结构，其至少具有：蓝宝石基板、在蓝宝石基板的主面上形成的第一AlN层、以及在第一AlN层上形成的第二AlN层，第二AlN层的a轴方向的形变量ε2的绝对值小于第一AlN层的a轴方向的形变量ε1的绝对值。

公开(公告)号：CN119866027A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411255916.1

申请日：2024-09-09

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 藤仓序章 ,  堀切文正 ,  今野泰一郎 ,  木村健司 ,  金木奖太 ,  福原昇

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01

Abstract: 一种高品质的半导体层叠物、半导体元件和半导体层叠物的制造方法。半导体层叠物，具备：包含碳化硅，具有主面的衬底；设于衬底的主面上，包含氮化铝的晶体的第一层；设于第一层上，包含氮化铝镓、氮化铝铟或氮化铝铟镓中的任意一种晶体的第二层；设于第二层上，包含氮化镓的晶体的第三层，第一层在27℃下沿着主面的方向上具有拉伸应变。

公开(公告)号：CN116525409A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202211603466.1

申请日：2022-12-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 金木奖太 ,  藤仓序章 ,  今野泰一郎 ,  木村健司

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/20 ,  H01L29/861

Abstract: 半导体层叠物和半导体层叠物的制造方法，得到具有p型层的高品质的半导体层叠物。半导体层叠物具备：衬底；设于衬底的上方，具有含Mg的Ⅲ族氮化物的p型层，p型层中的C浓度低于5×1015cm－3，p型层中的O浓度低于5×1015cm－3，p型层中的Si浓度低于1×1015cm－3，p型层中的F浓度为1×1014cm－3以上。

公开(公告)号：CN114941177A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210078463.4

申请日：2022-01-24

Applicant: 株式会社赛奧科思 ,  住友化学株式会社

Inventor： 藤仓序章 ,  木村健司 ,  今野泰一郎

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18

Abstract: 氮化物晶体、半导体层叠物、氮化物晶体的制造方法和氮化物晶体制造装置。课题是使氮化物晶体的品质提高。一种由InxAlyGa1－x－yN的组成式(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)表示的晶体，晶体中的碳的浓度低于1×1015cm－3，晶体中的从导带底起0.5eV以上且0.65eV以下的能量范围内存在的电子陷阱E3的浓度低于1×1014cm－3。

公开(公告)号：CN112838149A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202011306996.0

申请日：2020-11-19

Applicant: 赛奥科思有限公司 ,  住友化学株式会社

Inventor： 藤仓序章 ,  今野泰一郎 ,  木村健司

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及III族氮化物层叠基板和半导体发光元件。提供能够提高形成在蓝宝石基板上且用于半导体发光元件的GaN层的品质的技术。一种III族氮化物层叠基板，其具有：蓝宝石基板；第一层，其形成在蓝宝石基板上且由氮化铝构成；第二层，其是形成在第一层上且由氮化镓构成的添加有n型杂质的n型层；第三层，其是形成在第二层上且由III族氮化物构成的发光层；以及第四层，其是形成在第三层上且由III族氮化物构成的添加有p型杂质的p型层，第二层的厚度为7μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的(0002)衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的(10‑12)衍射的半值宽度为200秒以下。

公开(公告)号：CN113921608A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110761500.7

申请日：2021-07-06

Applicant: 赛奥科思有限公司 ,  住友化学株式会社

Inventor： 藤仓序章 ,  今野泰一郎 ,  木村健司 ,  后藤修

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

Abstract: 一种III族氮化物层叠物、半导体元件和III族氮化物层叠物的制造方法。其课题是提高设备特性。解决手段如下：具有基底基板、设置在基底基板上且由氮化铝形成的第一层、以及设置在第一层上且由氮化镓形成的第二层，第一层的厚度大于100nm且为1μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的(0002)衍射的半值宽度为250秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的(10‑12)衍射的半值宽度为500秒以下。

公开(公告)号：CN112838148A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202011302621.7

申请日：2020-11-19

Applicant: 赛奥科思有限公司 ,  住友化学株式会社

Inventor： 藤仓序章 ,  今野泰一郎 ,  木村健司

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及III族氮化物层叠基板和半导体元件。提供能够提高形成在基底基板上的GaN层的品质的技术。一种III族氮化物层叠基板，其具有：基底基板；第一层，其形成在基底基板上且由氮化铝构成；以及第二层，其形成在第一层上且由氮化镓构成，第二层的厚度为10μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的(0002)衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的(10‑12)衍射的半值宽度为200秒以下。