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公开(公告)号：CN115066741A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202180013632.X
申请日：2021-02-12
IPC: H01L21/3063
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备至少上表面由Ⅲ族氮化物晶体构成的蚀刻对象物、和作为接受电子的氧化剂而含有过二硫酸根离子的碱性或酸性的蚀刻液的工序；在使所述蚀刻对象物旋转，并且所述蚀刻对象物的上表面浸渍于以生成硫酸根自由基的方式被加热后的所述蚀刻液中的状态下，对于蚀刻对象物的上表面照射光的工序。
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公开(公告)号：CN114270478A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080056785.8
申请日：2020-07-06
IPC: H01L21/3063
Abstract: 结构体的制造方法，具有对蚀刻对象物进行光电化学蚀刻的工序，该工序包括：向保持有至少表面由Ⅲ族氮化物构成的蚀刻对象物并能够旋转地进行保持的容器中，注入含接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液，使所述表面浸渍于所述蚀刻液中的工序；在所述蚀刻对象物和所述蚀刻液静止的状态下，对于被所述容器保持的所述蚀刻对象物的所述表面照射光的工序；对所述表面照射所述光后，使所述容器旋转而使所述蚀刻液飞散至外周侧，由此从所述容器排出所述蚀刻液的工序。
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公开(公告)号：CN114467183A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202080069088.6
申请日：2020-10-09
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/311 , H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 半导体装置具有：衬底；形成于衬底上，由Ⅲ族氮化物构成的Ⅲ族氮化物层；形成于Ⅲ族氮化物层的凹部，Ⅲ族氮化物层具有：沟道层；形成于沟道层上，在所述沟道层形成二维电子气体的阻挡层，阻挡层具有：由氮化铝镓构成的第1层；形成于第1层上，由添加有n型杂质的氮化铝镓构成的第2层，凹部通过除去第2层的厚度的全部或一部分而形成，在凹部的下方，配置有第1层的厚度的至少一部分。
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公开(公告)号：CN113728418B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202080030627.5
申请日：2020-03-13
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/764 , H10D30/01 , H10D30/47 , H10D30/87
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备处理对象物的工序，所述处理对象物具备：蚀刻对象物，其具有由导电性的III族氮化物构成的被蚀刻面，在被蚀刻面上配置有被蚀刻区域；导电性构件，其以与蚀刻对象物的同被蚀刻区域电连接的导电性区域的至少一部分表面接触的方式设置；以及，掩膜，其在被蚀刻面上形成，由非导电性材料构成；以及，在处理对象物浸渍于包含过二硫酸根离子作为接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液中，且被蚀刻区域和导电性构件与蚀刻液接触的状态下，隔着蚀刻液对被蚀刻面照射光，由此对构成被蚀刻区域的III族氮化物进行蚀刻的工序，划定被蚀刻区域的边缘不包括导电性构件的边缘，由掩膜的边缘构成。
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公开(公告)号：CN112105763B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201980032042.4
申请日：2019-04-08
Inventor： 堀切文正
IPC: C30B29/38 , G01B11/06 , G01N21/3563 , G01N21/956 , H01L21/66
Abstract: 一种氮化物半导体层叠物的制造方法，其中，所述氮化物半导体层叠物是使薄膜在由III族氮化物半导体的晶体形成的基板上进行同质外延生长而成的，所述制造方法具备如下的工序：使薄膜在主面的位错密度为5×106个/cm2以下、氧浓度和除n型杂质之外的杂质浓度分别小于1×1017at·cm‑3的基板上进行同质外延生长的工序；以及检查薄膜的膜质的检查工序，在检查工序中，检测通过对基板上的薄膜照射红外光而得到的反射光谱中的、在1600cm‑1以上且1700cm‑1以下的范围中确定的规定波数下的反射光量自根据薄膜的膜厚与基板及薄膜的载流子浓度而确定的规定波数下的反射光量的偏离，由此检查薄膜的膜质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109844958B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201780052279.X
申请日：2017-06-27
IPC: H01L29/861 , C23C16/34 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L33/32
Abstract: 半导体装置具有：具有n型的导电型的第一半导体层，其由氮化镓系半导体形成；具有p型的导电型的第二半导体层，其层叠在第一半导体层的正上方，由以1×1020cm‑3以上的浓度添加有p型杂质的氮化镓系半导体形成；第一电极，其被配置成与第一半导体层接触；以及第二电极，其被配置成与第二半导体层接触，所述半导体装置作为pn结二极管来发挥功能。
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公开(公告)号：CN109989110B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201811585112.2
申请日：2018-12-24
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、以及层叠结构体。提供一种能够增大(0001)面的曲率半径、使偏离角分布狭窄的技术。一种氮化物半导体基板，其由III族氮化物半导体的晶体形成，具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，沿着 轴的方向以及沿着与 轴垂直的 轴的方向中的任一方向的(0001)面相对于主面弯曲成凹球面状，且沿着 轴的方向以及沿着与 轴垂直的 轴的方向中的任一方向的(0001)面的曲率半径与另一方向的至少一部分(0001)面的曲率半径不同。
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公开(公告)号：CN110499533A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910399256.7
申请日：2019-05-14
Abstract: 本发明涉及氮化物晶体基板以及氮化物晶体基板的制造方法，提供一种能够使氮化物晶体基板中的载流子浓度和迁移率中的至少任一者大致均匀地分布的技术。一种氮化物晶体基板，其具有主面，由III族氮化物的晶体形成，将基于利用反射型傅立叶变换红外光谱法测定的主面的反射率而求出的氮化物晶体基板的主面侧的载流子浓度设为NIR、将基于氮化物晶体基板的电阻率和利用涡流法测定的氮化物晶体基板的迁移率而求出的氮化物晶体基板中的载流子浓度设为NElec时，主面中央的载流子浓度NIR相对于载流子浓度NElec的比率NIR/NElec满足式(1)(0.5≤NIR/NElec≤1.5)。
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公开(公告)号：CN109417035A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780039393.9
申请日：2017-04-03
Inventor： 堀切文正
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L21/66 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明的氮化物半导体层叠物具备基板、设置在基板上且由III族氮化物半导体形成的电子移动层、以及设置在电子移动层上且由III族氮化物半导体形成的电子供给层，使用由被Cr覆盖的直径1mm的玻璃球形成的测定元件进行测定时的、作为将该测定元件与电子供给层的表面吸引的引力而起作用的电子供给层的表面力A强于在相同条件下测定时的Pt的表面力B，它们之差的绝对值|A-B|为30μN以上。
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公开(公告)号：CN110499533B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN201910399256.7
申请日：2019-05-14
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明涉及氮化物晶体基板以及氮化物晶体基板的制造方法，提供一种能够使氮化物晶体基板中的载流子浓度和迁移率中的至少任一者大致均匀地分布的技术。一种氮化物晶体基板，其具有主面，由III族氮化物的晶体形成，将基于利用反射型傅立叶变换红外光谱法测定的主面的反射率而求出的氮化物晶体基板的主面侧的载流子浓度设为NIR、将基于氮化物晶体基板的电阻率和利用涡流法测定的氮化物晶体基板的迁移率而求出的氮化物晶体基板中的载流子浓度设为NElec时，主面中央的载流子浓度NIR相对于载流子浓度NElec的比率NIR/NElec满足式(1)(0.5≤NIR/NElec≤1.5)。
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