公开(公告)号：CN113728417B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202080030617.1

申请日：2020-03-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 堀切文正 ,  福原昇 ,  佐藤威友 ,  渡久地政周

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物构成的蚀刻对象物的工序；以及，在蚀刻对象物浸渍于包含过二硫酸根离子的蚀刻液中的状态下，隔着蚀刻液对蚀刻对象物的表面照射光，从而由过二硫酸根离子生成硫酸根离子自由基，并使III族氮化物中生成空穴，由此对III族氮化物进行蚀刻的工序，在对III族氮化物进行蚀刻的工序中，通过使III族氮化物的蚀刻的开始时间点的蚀刻液为酸性，从而在III族氮化物被蚀刻的期间内维持蚀刻液为酸性的状态，在表面上形成有抗蚀剂掩膜的状态下进行蚀刻。

公开(公告)号：CN113728417A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202080030617.1

申请日：2020-03-13

Applicant: 赛奥科思有限公司 ,  住友化学株式会社

Inventor： 堀切文正 ,  福原昇 ,  佐藤威友 ,  渡久地政周

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物构成的蚀刻对象物的工序；以及，在蚀刻对象物浸渍于包含过二硫酸根离子的蚀刻液中的状态下，隔着蚀刻液对蚀刻对象物的表面照射光，从而由过二硫酸根离子生成硫酸根离子自由基，并使III族氮化物中生成空穴，由此对III族氮化物进行蚀刻的工序，在对III族氮化物进行蚀刻的工序中，通过使III族氮化物的蚀刻的开始时间点的蚀刻液为酸性，从而在III族氮化物被蚀刻的期间内维持蚀刻液为酸性的状态，在表面上形成有抗蚀剂掩膜的状态下进行蚀刻。