公开(公告)号：CN119866027A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411255916.1

申请日：2024-09-09

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 藤仓序章 ,  堀切文正 ,  今野泰一郎 ,  木村健司 ,  金木奖太 ,  福原昇

IPC: H10D30/47 ,  H10D30/01

Abstract: 一种高品质的半导体层叠物、半导体元件和半导体层叠物的制造方法。半导体层叠物，具备：包含碳化硅，具有主面的衬底；设于衬底的主面上，包含氮化铝的晶体的第一层；设于第一层上，包含氮化铝镓、氮化铝铟或氮化铝铟镓中的任意一种晶体的第二层；设于第二层上，包含氮化镓的晶体的第三层，第一层在27℃下沿着主面的方向上具有拉伸应变。

公开(公告)号：CN116525409A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202211603466.1

申请日：2022-12-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 金木奖太 ,  藤仓序章 ,  今野泰一郎 ,  木村健司

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/20 ,  H01L29/861

Abstract: 半导体层叠物和半导体层叠物的制造方法，得到具有p型层的高品质的半导体层叠物。半导体层叠物具备：衬底；设于衬底的上方，具有含Mg的Ⅲ族氮化物的p型层，p型层中的C浓度低于5×1015cm－3，p型层中的O浓度低于5×1015cm－3，p型层中的Si浓度低于1×1015cm－3，p型层中的F浓度为1×1014cm－3以上。