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公开(公告)号：CN120019476A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380071181.4
申请日：2023-10-19
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L21/205
Abstract: 具备：包含第1方向上并排的生长抑制区域以及第1籽晶区域的模板基板；和位于所述模板基板的上方且包含氮化物半导体的第1半导体部，所述第1半导体部具有：从所述第1籽晶区域来到比所述生长抑制区域更上侧的位置的第1隆起部；与所述第1隆起部相接的生长抑制膜；位于所述第1隆起部的上方的第1基部；和与所述第1基部相连、与所述生长抑制区域分离且位于空隙上的第1翼部。
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