公开(公告)号：CN109980001A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811568018.6

申请日：2018-12-21

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  学校法人丰田学园

Inventor： 櫛田知义 ,  长里喜隆 ,  岩田直高 ,  榊裕之

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及半导体器件。在具有异质结型超结结构的半导体器件中，漏极部分和源极部分电连接到二维电子气层和二维空穴气层中的一个，并且栅极部分通过绝缘区域防止直接接触二维电子气层和二维空穴气层中的所述一个。

公开(公告)号：CN109980001B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201811568018.6

申请日：2018-12-21

Applicant: 株式会社电装 ,  学校法人丰田学园

Inventor： 櫛田知义 ,  长里喜隆 ,  岩田直高 ,  榊裕之

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及半导体器件。在具有异质结型超结结构的半导体器件中，漏极部分和源极部分电连接到二维电子气层和二维空穴气层中的一个，并且栅极部分通过绝缘区域防止直接接触二维电子气层和二维空穴气层中的所述一个。

公开(公告)号：CN107017255B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201611054323.4

申请日：2016-11-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 长里喜隆 ,  富田英幹 ,  兼近将一

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，其具备导电性基板和氮化物半导体层。氮化物半导体层存在于导电性基板之上。氮化物半导体层包括横向型的第一晶体管结构和横向型的第二晶体管结构。导电性基板包括第一电位控制区和第二电位控制区，第二电位控制区能够相对于第一电位控制区而独立地进行电位控制。在对氮化物半导体层进行俯视观察时，第一晶体管结构与第一电位控制区重叠，并且第二晶体管结构与第二电位控制区重叠。

公开(公告)号：CN115966515A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211225008.9

申请日：2022-10-09

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 牛岛隆志 ,  加藤孝三 ,  长里喜隆 ,  长屋正武 ,  星真一 ,  河口大祐 ,  原佳祐

IPC: H01L21/78

Abstract: 半导体器件的制造方法包括沟槽形成步骤、激光照射步骤和剥离步骤。在沟槽形成步骤中，沟槽形成于半导体衬底(1)的其上形成有器件结构的第一主表面(1a)上。在激光照射步骤中，激光从半导体衬底的第二主表面照射到平面表面(3)上，该平面表面在半导体衬底的预定深度处定位并延伸。在剥离步骤中，器件层(2)从半导体衬底沿激光照射的平面表面剥离。剥离步骤可以在沟槽未填充或填充有具有比半导体衬底更低的热膨胀系数的材料的状态下进行。

公开(公告)号：CN115810544A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211103102.7

申请日：2022-09-09

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 朽木克博 ,  片冈惠太 ,  菊田大悟 ,  三宅裕树 ,  市川周平 ,  长里喜隆

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872

Abstract: 在用于基于氧化镓的半导体衬底的表面处理方法中，通过以150V或更大的自偏压进行干蚀刻，使所述基于氧化镓的半导体衬底的表面平坦化。在使所述基于氧化镓的半导体衬底的表面平坦化之后，用含有H2SO4的化学溶液清洗基于氧化镓的半导体衬底的表面，以暴露基于氧化镓的半导体衬底的表面上的台阶阶梯结构。

公开(公告)号：CN107017255A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611054323.4

申请日：2016-11-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 长里喜隆 ,  富田英幹 ,  兼近将一

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，其具备导电性基板和氮化物半导体层。氮化物半导体层存在于导电性基板之上。氮化物半导体层包括横向型的第一晶体管结构和横向型的第二晶体管结构。导电性基板包括第一电位控制区和第二电位控制区，第二电位控制区能够相对于第一电位控制区而独立地进行电位控制。在对氮化物半导体层进行俯视观察时，第一晶体管结构与第一电位控制区重叠，并且第二晶体管结构与第二电位控制区重叠。