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公开(公告)号：CN116895522A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350521.9
申请日：2023-04-04
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/28 , H01L21/428 , H01L21/44 , H01L21/463
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在化合物半导体衬底(12)的第一表面(12a)中沿着多个器件区域(40)之间的界面形成排气凹部(14)，化合物半导体衬底包括与第一表面(12a)相邻的多个器件区域(40)；通过施加激光束(112)，在化合物半导体衬底内部形成改变层(16)以沿着第一表面在对应于排气凹部的深度范围的深度处延伸；在改变层处将化合物半导体衬底分割成包括第一表面(12a)的第一部分(61)和包括化合物半导体衬底的与第一表面(12a)相反的第二表面(12b)的第二部分(62)；以及形成金属膜(71、81、91)以覆盖第一部分的分割面(61a)，同时露出排气凹部。
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公开(公告)号：CN115881635A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211158877.4
申请日：2022-09-22
IPC: H01L21/78
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：从半导体基板(1)的与第一主表面(1a)侧相反的第二主表面(1b)侧将激光束施加于在半导体基板(1)中预定深度处延伸的平面(3)，在该第一主表面上形成包括通道(CH)的装置结构(10)；以及沿着被施加激光束(L)的平面(3)从半导体基板(1)剥离包括装置结构(10)的装置层(2)。在施加激光束(L)时，激光束(1)被施加为使得在半导体基板(1)中预定深度处延伸的平面(3)中在半导体基板的厚度方向上与通道(CH)对应的区域内的功率密度低于其它区域内的功率密度。
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公开(公告)号：CN116504606A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310055335.2
申请日：2023-01-18
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
Abstract: 制造氮化镓衬底的方法包括制备氮化镓晶片、形成转换层和形成氮化镓衬底。氮化镓具有第一主表面和第二主表面，所述第二主表面在与所述第一主表面相对的一侧上。所述氮化镓晶片由六方晶体制成，并且所述第一主表面和所述第二主表面中的每一个都是所述六方晶体的{1‑100}m‑平面。通过将激光束发射到所述氮化镓晶片中，沿着所述氮化镓晶片的平面方向形成所述转换层。通过在所述转换层处分割所述氮化镓晶片来由所述氮化镓晶片形成所述氮化镓衬底。在所述转换层的形成中，发射所述激光束以形成用于形成所述转换层的照射标记。
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公开(公告)号：CN115966589A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211136290.3
申请日：2022-09-19
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
Abstract: 一种半导体芯片包括构成芯片的基板(110)，其具有一个表面(110a)、与所述一个表面相反的另一表面(110b)、以及连接所述一个表面和所述另一表面的两对相反侧表面(110c)。所述一个表面和所述另一表面沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的一个。两对相反侧表面中的一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另一个。两对相反侧表面中的另一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另外一个。所述侧表面包括在作为侧表面的法线方向的深度方向上的表面层部分中包含氧化镓和镓金属的改变层(120)。
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公开(公告)号：CN115966515A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211225008.9
申请日：2022-10-09
IPC: H01L21/78
Abstract: 半导体器件的制造方法包括沟槽形成步骤、激光照射步骤和剥离步骤。在沟槽形成步骤中，沟槽形成于半导体衬底(1)的其上形成有器件结构的第一主表面(1a)上。在激光照射步骤中，激光从半导体衬底的第二主表面照射到平面表面(3)上，该平面表面在半导体衬底的预定深度处定位并延伸。在剥离步骤中，器件层(2)从半导体衬底沿激光照射的平面表面剥离。剥离步骤可以在沟槽未填充或填充有具有比半导体衬底更低的热膨胀系数的材料的状态下进行。
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公开(公告)号：CN115274843A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210447265.0
申请日：2022-04-26
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种半导体芯片，包括芯片构成基板(10)，芯片构成基板(10)具有第一表面(10a)和第二表面(10b)，并且包括含有氮化镓的层。芯片构成基板(10)设置有半导体元件，构成半导体元件的部件与位于与第二表面(10b)相邻的区域中相比更多地位于与第一表面(10a)相邻的区域。芯片构成基板(10)形成有从第一表面(10a)到第二表面(10b)贯通芯片构成基板(10)的通孔(20)。通孔(20)限定与第一表面(10a)相邻的第一开口及与第二表面(10b)相邻的第二开口，且第一开口大于第二开口。
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公开(公告)号：CN115020207A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210202228.3
申请日：2022-03-03
IPC: H01L21/268 , H01L23/544
Abstract: 半导体芯片的制造方法，包括：制备GaN晶圆；通过在GaN晶圆的表面上形成外延膜来制造经加工晶圆以具有与经加工晶圆的第一表面相邻的多个芯片形成区域；在每个芯片形成区域中形成半导体元件的第一表面侧元件部件；通过从经加工晶圆的第二表面利用激光束照射经加工晶圆的内部，沿经加工晶圆的平面方向形成晶圆变换层；在晶圆变换层处将经加工晶圆分成芯片形成晶圆和回收晶圆；从芯片形成晶圆取出半导体芯片；以及在制备GaN晶圆后且在划分经加工晶圆前，通过利用激光束照射在氮化镓晶圆或经加工晶圆之一的内部形成标记，该标记由镓的沉积形成。
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公开(公告)号：CN113539808A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110389491.3
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/28 , H01L21/683
Abstract: 氮化镓半导体器件包括：芯片形成衬底(110)，该芯片形成衬底(110)由氮化镓制成，并且具有一个表面(110a)和与该一个表面相反的另一表面(110b)；一个表面侧元件部件(11)，该表面侧元件部件设置在一个表面上并提供半导体元件的一个表面侧的部件；和构成与另一表面接触的背面电极的金属膜(61)。另一个表面具有不规则性，该不规则性由具有梯形横截面的多个凸部和位于该凸部之间的多个凹部提供。多个凸部中每个凸部的梯形横截面的上底表面与所述一个表面相反。
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公开(公告)号：CN113539808B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202110389491.3
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/28 , H01L21/683
Abstract: 氮化镓半导体器件包括：芯片形成衬底(110)，该芯片形成衬底(110)由氮化镓制成，并且具有一个表面(110a)和与该一个表面相反的另一表面(110b)；一个表面侧元件部件(11)，该表面侧元件部件设置在一个表面上并提供半导体元件的一个表面侧的部件；和构成与另一表面接触的背面电极的金属膜(61)。另一个表面具有不规则性，该不规则性由具有梯形横截面的多个凸部和位于该凸部之间的多个凹部提供。多个凸部中每个凸部的梯形横截面的上底表面与所述一个表面相反。
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公开(公告)号：CN113539928A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110389492.8
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种半导体芯片，包括：由氮化镓制成的外延膜(3)；以及设置在外延膜中的半导体元件；芯片形成衬底(110)，其包括外延膜并具有第一表面(110a)、与第一表面相反的第二表面(110b)以及连接第一表面和第二表面的侧表面(110c)；和在侧表面上的凹凸。
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