半导体装置的制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118610080A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410240748.2

    申请日:2024-03-04

    Abstract: 半导体装置的制造方法进行以下工序:准备由β-氧化镓构成的半导体衬底;将半导体衬底(30)配置在配置于腔室(10)内的基座(20)上;将腔室(10)密闭;通过调整基座(20)的温度,进行通过传热而在使半导体衬底升温后使半导体衬底(30)降温的加热处理;将腔室(10)的密闭解除而设为能够从腔室(10)将半导体衬底(30)取出的状态。在准备半导体衬底(30)的工序中,准备一面(30a)或另一面(30b)相对于(100)面或(001)面处于45~90°的范围内的衬底,在加热处理中,通过以基座(20)的升温速率为100℃/min以下的条件使基座(20)升温,使半导体衬底(30)升温到300℃以上。能够使得使用β-氧化镓作为半导体衬底、即使进行了加热处理也难以断裂。

    半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN111725057A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010187749.7

    申请日:2020-03-17

    Inventor: 市川周平

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。其使电极与氧化镓基板欧姆接触。半导体装置的制造方法具有如下工序:将氧化镓基板的表面暴露于酸性或者碱性的溶液中,来提高所述表面的表面粗糙度的工序;以及在表面粗糙度已被提高的所述表面形成电极的工序。根据该制造方法,由于使电极与表面粗糙度已被提高的所述表面接触,因此能够使电极与氧化镓基板欧姆接触。

    溅射装置、以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN111748784A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010239517.1

    申请日:2020-03-30

    Inventor: 市川周平

    Abstract: 本发明提供一种溅射装置、以及半导体装置的制造方法。其以较快的成膜速度形成氧化镓膜。在使氧化镓膜在基板上成长的溅射装置中,包括:腔室;基台,配置在所述腔室内且固定所述基板;镓靶,配置在所述腔室内且含有镓元素;第一电源,向所述镓靶施加电压;以及氧元素供给装置,向所述腔室内供给氧元素。根据该溅射装置,能够以较快的成膜速度形成氧化镓膜。

    制造半导体装置的方法和半导体装置

    公开(公告)号:CN109638072B

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN201811061849.4

    申请日:2018-09-12

    Inventor: 市川周平

    Abstract: 本公开涉及一种制造半导体装置的方法和半导体装置。制造半导体装置的方法包括:制备半导体基板;和形成肖特基电极,所述肖特基电极与所述半导体基板的表面肖特基接触。所述肖特基电极由含有预定浓度的氧原子的金属材料制成。

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