公开(公告)号：CN118610080A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410240748.2

申请日：2024-03-04

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 市川周平 ,  三宅裕树 ,  永冈达司

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/02

Abstract: 半导体装置的制造方法进行以下工序：准备由β－氧化镓构成的半导体衬底；将半导体衬底(30)配置在配置于腔室(10)内的基座(20)上；将腔室(10)密闭；通过调整基座(20)的温度，进行通过传热而在使半导体衬底升温后使半导体衬底(30)降温的加热处理；将腔室(10)的密闭解除而设为能够从腔室(10)将半导体衬底(30)取出的状态。在准备半导体衬底(30)的工序中，准备一面(30a)或另一面(30b)相对于(100)面或(001)面处于45～90°的范围内的衬底，在加热处理中，通过以基座(20)的升温速率为100℃/min以下的条件使基座(20)升温，使半导体衬底(30)升温到300℃以上。能够使得使用β－氧化镓作为半导体衬底、即使进行了加热处理也难以断裂。

公开(公告)号：CN115810544A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211103102.7

申请日：2022-09-09

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 朽木克博 ,  片冈惠太 ,  菊田大悟 ,  三宅裕树 ,  市川周平 ,  长里喜隆

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872

Abstract: 在用于基于氧化镓的半导体衬底的表面处理方法中，通过以150V或更大的自偏压进行干蚀刻，使所述基于氧化镓的半导体衬底的表面平坦化。在使所述基于氧化镓的半导体衬底的表面平坦化之后，用含有H2SO4的化学溶液清洗基于氧化镓的半导体衬底的表面，以暴露基于氧化镓的半导体衬底的表面上的台阶阶梯结构。

公开(公告)号：CN111725057A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010187749.7

申请日：2020-03-17

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 市川周平

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。其使电极与氧化镓基板欧姆接触。半导体装置的制造方法具有如下工序：将氧化镓基板的表面暴露于酸性或者碱性的溶液中，来提高所述表面的表面粗糙度的工序；以及在表面粗糙度已被提高的所述表面形成电极的工序。根据该制造方法，由于使电极与表面粗糙度已被提高的所述表面接触，因此能够使电极与氧化镓基板欧姆接触。

公开(公告)号：CN109638072A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811061849.4

申请日：2018-09-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 市川周平

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/04

Abstract: 本公开涉及一种制造半导体装置的方法和半导体装置。制造半导体装置的方法包括：制备半导体基板；和形成肖特基电极，所述肖特基电极与所述半导体基板的表面肖特基接触。所述肖特基电极由含有预定浓度的氧原子的金属材料制成。

公开(公告)号：CN111748784A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010239517.1

申请日：2020-03-30

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 市川周平

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种溅射装置、以及半导体装置的制造方法。其以较快的成膜速度形成氧化镓膜。在使氧化镓膜在基板上成长的溅射装置中，包括：腔室；基台，配置在所述腔室内且固定所述基板；镓靶，配置在所述腔室内且含有镓元素；第一电源，向所述镓靶施加电压；以及氧元素供给装置，向所述腔室内供给氧元素。根据该溅射装置，能够以较快的成膜速度形成氧化镓膜。

公开(公告)号：CN109638072B

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN201811061849.4

申请日：2018-09-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 市川周平

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/04

Abstract: 本公开涉及一种制造半导体装置的方法和半导体装置。制造半导体装置的方法包括：制备半导体基板；和形成肖特基电极，所述肖特基电极与所述半导体基板的表面肖特基接触。所述肖特基电极由含有预定浓度的氧原子的金属材料制成。