公开(公告)号：CN109980001A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811568018.6

申请日：2018-12-21

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  学校法人丰田学园

Inventor： 櫛田知义 ,  长里喜隆 ,  岩田直高 ,  榊裕之

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及半导体器件。在具有异质结型超结结构的半导体器件中，漏极部分和源极部分电连接到二维电子气层和二维空穴气层中的一个，并且栅极部分通过绝缘区域防止直接接触二维电子气层和二维空穴气层中的所述一个。

公开(公告)号：CN104205346B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380014865.7

申请日：2013-03-14

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  学校法人丰田学园

Inventor： 栉田知义 ,  榊裕之 ,  大森雅登

IPC: H01L29/92 ,  H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/92 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/155 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003

Abstract: 一种半导体装置(10)，包括：层叠结构(151、153)和第二接合部(152、154)的双接合结构，在第一接合部(151、153)处宽带隙层(102、104)和窄带隙层(101、103、105)彼此层叠，在第二接合部(152、154)处窄带隙层(101、103、105)和宽带隙层(102、104)彼此层叠；以及接合至层叠结构中的每一层的电极半导体层(110、120)。每个双接合结构均包括由具有负固定电荷的第一区(131、133)和具有正固定电荷的第二区(132、134)构成的对。第一区较靠近第一接合部而较不靠近宽带隙层的中心。第二区较靠近第二接合部而较不靠近宽带隙层的中心。在每个接合部处均形成2DEG或2DHG。半导体装置用作电能存储设备例如电容器。(100)，所述层叠结构(100)包括具有第一接合部

公开(公告)号：CN104205346A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380014865.7

申请日：2013-03-14

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  学校法人丰田学园

Inventor： 栉田知义 ,  榊裕之 ,  大森雅登

IPC: H01L29/92 ,  H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/92 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/155 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003

Abstract: 一种半导体装置(10)，包括：层叠结构(100)，所述层叠结构(100)包括具有第一接合部(151、153)和第二接合部(152、154)的双接合结构，在第一接合部(151、153)处宽带隙层(102、104)和窄带隙层(101、103、105)彼此层叠，在第二接合部(152、154)处窄带隙层(101、103、105)和宽带隙层(102、104)彼此层叠；以及接合至层叠结构中的每一层的电极半导体层(110、120)。每个双接合结构均包括由具有负固定电荷的第一区(131、133)和具有正固定电荷的第二区(132、134)构成的对。第一区较靠近第一接合部而较不靠近宽带隙层的中心。第二区较靠近第二接合部而较不靠近宽带隙层的中心。在每个接合部处均形成2DEG或2DHG。半导体装置用作电能存储设备例如电容器。

公开(公告)号：CN109980001B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201811568018.6

申请日：2018-12-21

Applicant: 株式会社电装 ,  学校法人丰田学园

Inventor： 櫛田知义 ,  长里喜隆 ,  岩田直高 ,  榊裕之

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及半导体器件。在具有异质结型超结结构的半导体器件中，漏极部分和源极部分电连接到二维电子气层和二维空穴气层中的一个，并且栅极部分通过绝缘区域防止直接接触二维电子气层和二维空穴气层中的所述一个。