-
公开(公告)号：CN116895522A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350521.9
申请日：2023-04-04
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/28 , H01L21/428 , H01L21/44 , H01L21/463
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在化合物半导体衬底(12)的第一表面(12a)中沿着多个器件区域(40)之间的界面形成排气凹部(14)，化合物半导体衬底包括与第一表面(12a)相邻的多个器件区域(40)；通过施加激光束(112)，在化合物半导体衬底内部形成改变层(16)以沿着第一表面在对应于排气凹部的深度范围的深度处延伸；在改变层处将化合物半导体衬底分割成包括第一表面(12a)的第一部分(61)和包括化合物半导体衬底的与第一表面(12a)相反的第二表面(12b)的第二部分(62)；以及形成金属膜(71、81、91)以覆盖第一部分的分割面(61a)，同时露出排气凹部。
-
公开(公告)号：CN115966589A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211136290.3
申请日：2022-09-19
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
Abstract: 一种半导体芯片包括构成芯片的基板(110)，其具有一个表面(110a)、与所述一个表面相反的另一表面(110b)、以及连接所述一个表面和所述另一表面的两对相反侧表面(110c)。所述一个表面和所述另一表面沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的一个。两对相反侧表面中的一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另一个。两对相反侧表面中的另一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另外一个。所述侧表面包括在作为侧表面的法线方向的深度方向上的表面层部分中包含氧化镓和镓金属的改变层(120)。
-
公开(公告)号：CN115966515A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211225008.9
申请日：2022-10-09
IPC: H01L21/78
Abstract: 半导体器件的制造方法包括沟槽形成步骤、激光照射步骤和剥离步骤。在沟槽形成步骤中，沟槽形成于半导体衬底(1)的其上形成有器件结构的第一主表面(1a)上。在激光照射步骤中，激光从半导体衬底的第二主表面照射到平面表面(3)上，该平面表面在半导体衬底的预定深度处定位并延伸。在剥离步骤中，器件层(2)从半导体衬底沿激光照射的平面表面剥离。剥离步骤可以在沟槽未填充或填充有具有比半导体衬底更低的热膨胀系数的材料的状态下进行。
-
公开(公告)号：CN115274843A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210447265.0
申请日：2022-04-26
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 一种半导体芯片，包括芯片构成基板(10)，芯片构成基板(10)具有第一表面(10a)和第二表面(10b)，并且包括含有氮化镓的层。芯片构成基板(10)设置有半导体元件，构成半导体元件的部件与位于与第二表面(10b)相邻的区域中相比更多地位于与第一表面(10a)相邻的区域。芯片构成基板(10)形成有从第一表面(10a)到第二表面(10b)贯通芯片构成基板(10)的通孔(20)。通孔(20)限定与第一表面(10a)相邻的第一开口及与第二表面(10b)相邻的第二开口，且第一开口大于第二开口。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.052 seconds)
