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公开(公告)号：CN115881787A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211183593.0
申请日：2022-09-27
IPC: H01L29/41 , H01L23/488 , H01L29/06 , H01L29/40
Abstract: 一种半导体器件包括：具有半导体元件和表面电极的有源区，表面电极由布线电极材料提供，并且在与所述半导体芯片的表面相邻的一侧上连接到所述半导体元件；和焊盘设置区，其具有由布线电极材料提供的焊盘。焊盘设置区在垂直于半导体芯片表面的方向上与有源区重叠。在焊盘设置区与有源区重叠的部分，焊盘通过隔离绝缘膜布置在表面电极上，使布线电极材料为两层，以提供双层布线电极结构。在有源区不与焊盘设置区重叠的部分，表面电极具有由单层布线电极材料组成的单层布线电极结构。
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公开(公告)号：CN107615492B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201680030119.0
申请日：2016-04-05
IPC: H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12
Abstract: 半导体装置具有：基板(1)，其包括外周区域和具有半导体元件的单元区域；以及所述基板上的漂移层(2)。半导体元件具备基极区域(3)、源极区域(4)、沟槽栅构造、比栅极沟槽深的深层(5)、源极电极(11)、以及漏极电极(12)。外周区域具有使所述漂移层露出的凹部(20)、以及保护环层(21)，保护环层具有在露出了的所述漂移层的表面包围所述单元区域的多个框形状的保护环沟槽(21c)、以及配置于保护环沟槽内的第1保护环(21a)。所述深沟槽的宽度和所述保护环沟槽的宽度。
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公开(公告)号：CN109967675A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811478431.3
申请日：2018-12-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明提供一种凸面成形方法及凸面成形装置。筒状的模具具有：第一齿形模具部，与形成有所希望的凸面的部分的齿宽对应地在内周形成有从上端部至下端部为同一齿宽的齿形；第二齿形模具部，与形成有所希望的凸面的部分以外的中央部的齿宽对应地在内周形成有从上端部至下端部为同一齿宽的齿形。凸面成形方法包括：通过模具的第一齿形模具部的内周的齿形而在原料的外周形成齿形的步骤；及使形成有齿形的原料向第二齿形模具部内移动，以使原料的中央部的直径比上下端部的直径更大地扩张的方式将原料的内周面向外侧按压，从而将原料的齿形的中央部压紧于第二齿形模具部的内周的齿形的步骤。
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公开(公告)号：CN107615492A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680030119.0
申请日：2016-04-05
IPC: H01L29/78 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12
Abstract: 半导体装置具有：基板(1)，其包括外周区域和具有半导体元件的单元区域；以及所述基板上的漂移层(2)。半导体元件具备基极区域(3)、源极区域(4)、沟槽栅构造、比栅极沟槽深的深层(5)、源极电极(11)、以及漏极电极(12)。外周区域具有使所述漂移层露出的凹部(20)、以及保护环层(21)，保护环层具有在露出了的所述漂移层的表面包围所述单元区域的多个框形状的保护环沟槽(21c)、以及配置于保护环沟槽内的第1保护环(21a)。所述深沟槽的宽度和所述保护环沟槽的宽度。
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公开(公告)号：CN102163627B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110045710.2
申请日：2011-02-23
IPC: H01L29/872 , H01L29/16 , H01L21/329 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/47 , H01L21/0495 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/1608 , H01L29/402 , H01L29/6606 , H01L29/872
Abstract: 一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置，其包括：基板(1)，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中所述基板包括主表面和背表面；漂移层(2)，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中漂移层设置在基板的主表面上且具有比基板低的杂质浓度；肖特基电极(4)，其设置在漂移层上且与漂移层的表面肖特基接触；以及欧姆电极(5)，其设置在基板的背表面上。肖特基电极与漂移层直接接触，以使得肖特基电极的晶格与漂移层的晶格匹配。本发明还涉及一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102163627A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110045710.2
申请日：2011-02-23
IPC: H01L29/872 , H01L29/16 , H01L21/329 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/47 , H01L21/0495 , H01L29/0619 , H01L29/063 , H01L29/1608 , H01L29/402 , H01L29/6606 , H01L29/872
Abstract: 一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置，其包括：基板(1)，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中所述基板包括主表面和背表面；漂移层(2)，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中漂移层设置在基板的主表面上且具有比基板低的杂质浓度；肖特基电极(4)，其设置在漂移层上且与漂移层的表面肖特基接触；以及欧姆电极(5)，其设置在基板的背表面上。肖特基电极与漂移层直接接触，以使得肖特基电极的晶格与漂移层的晶格匹配。本发明还涉及一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN118824963A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410446572.6
申请日：2024-04-15
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/373
Abstract: 半导体装置具备具有形成有半导体元件的半导体芯片(20，30)的半导体模块(PM)、与半导体模块(PM)电连接的布线基板(60)、以及将半导体模块(PM)及布线基板(60)密封的密封部件(70)。在半导体模块(PM)与布线基板(60)之间，配置有与密封部件(70)相比热传导率高的热扩散板(53，90)，热扩散板(90)为板状，以使面方向沿着与半导体模块(PM)和布线基板(60)的排列方向交叉的方向的状态而被配置于密封部件(70)。
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公开(公告)号：CN102386100B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110259637.9
申请日：2011-08-30
IPC: H01L21/336 , H01L21/283
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/66068
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底(1)上形成漂移层(2)；在漂移层(2)上形成基极层(3)；形成沟槽(6)以穿透所述基极层(3)，并到达所述漂移层(2)；修圆沟槽(6)的肩部角落和底部角落；利用有机膜(21)覆盖所述沟槽(6)的内壁；向基极层(3)的表面部分注入杂质；通过激活所注入的杂质来形成源极区(4)；以及在形成所述源极区(4)之后去除所述有机膜(21)。衬底(1)、漂移层(2)、基极层(3)和源极区(4)由碳化硅制成，在沟槽(6)被有机膜(21)覆盖的情况下执行杂质的注入和激活。
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公开(公告)号：CN109967675B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201811478431.3
申请日：2018-12-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明提供一种凸面成形方法及凸面成形装置。筒状的模具具有：第一齿形模具部，与形成有所希望的凸面的部分的齿宽对应地在内周形成有从上端部至下端部为同一齿宽的齿形；第二齿形模具部，与形成有所希望的凸面的部分以外的中央部的齿宽对应地在内周形成有从上端部至下端部为同一齿宽的齿形。凸面成形方法包括：通过模具的第一齿形模具部的内周的齿形而在原料的外周形成齿形的步骤；及使形成有齿形的原料向第二齿形模具部内移动，以使原料的中央部的直径比上下端部的直径更大地扩张的方式将原料的内周面向外侧按压，从而将原料的齿形的中央部压紧于第二齿形模具部的内周的齿形的步骤。
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公开(公告)号：CN102386100A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110259637.9
申请日：2011-08-30
IPC: H01L21/336 , H01L21/283
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/66068
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底(1)上形成漂移层(2)；在漂移层(2)上形成基极层(3)；形成沟槽(6)以穿透所述基极层(3)，并到达所述漂移层(2)；修圆沟槽(6)的肩部角落和底部角落；利用有机膜(21)覆盖所述沟槽(6)的内壁；向基极层(3)的表面部分注入杂质；通过激活所注入的杂质来形成源极区(4)；以及在形成所述源极区(4)之后去除所述有机膜(21)。衬底(1)、漂移层(2)、基极层(3)和源极区(4)由碳化硅制成，在沟槽(6)被有机膜(21)覆盖的情况下执行杂质的注入和激活。
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