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公开(公告)号：CN117872680B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410269048.6
申请日：2024-03-11
Applicant: 中节能万润股份有限公司
IPC: G03F7/09
Abstract: 本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及用于光刻胶底部抗反射涂层的聚合物及制备方法和应用，所述聚合物具有如下结构式：#imgabs0#；a、b、c分别为聚合物中重复单元的质量分数，a选自1‑10%，b选自10‑80%，c选自10‑80%，所述聚合物的重均分子量选自4000‑10000Da，分子量分散系数选自1.0‑3.0。制备方法为：三种单体在溶剂中，经缩聚反应得到目标聚合物。所述聚合物可应用于光刻胶底部抗反射涂层，所述聚合物可有效阻止光刻胶辐射光穿透反射涂层，大幅提高光刻胶显影图案的分辨率。
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公开(公告)号：CN117872680A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410269048.6
申请日：2024-03-11
Applicant: 中节能万润股份有限公司
IPC: G03F7/09
Abstract: 本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及用于光刻胶底部抗反射涂层的聚合物及制备方法和应用，所述聚合物具有如下结构式：#imgabs0#；a、b、c分别为聚合物中重复单元的质量分数，a选自1‑10%，b选自10‑80%，c选自10‑80%，所述聚合物的重均分子量选自4000‑10000Da，分子量分散系数选自1.0‑3.0。制备方法为：三种单体在溶剂中，经缩聚反应得到目标聚合物。所述聚合物可应用于光刻胶底部抗反射涂层，所述聚合物可有效阻止光刻胶辐射光穿透反射涂层，大幅提高光刻胶显影图案的分辨率。
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公开(公告)号：CN108084124A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711063356.X
申请日：2017-11-02
Applicant: 中节能万润股份有限公司
IPC: C07D307/77 , C07D307/91 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: C07D307/77 , C07D307/91 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1088 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0061 , H01L51/0073
Abstract: 本发明属于有机电致发光领域，尤其涉及一种屈类新型有机电致发光材料及其制备方法。本发明提供的新型有机电致发光材料分子间不易结晶、不易聚集，具有适当的分子量、良好的薄膜稳定性、适合的HOMO和LUMO能级，该类材料可以作为OLED器件的发光层，应用于有机电致发光领域中。本发明化合物作为OLED发光器件的发光层材料使用时，制作出的OLED器件具有良好的光电性能。
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公开(公告)号：CN104910116B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510255683.X
申请日：2015-05-19
Applicant: 中节能万润股份有限公司
IPC: C07D309/08 , C07D309/10
Abstract: 本发明涉及一种制备4,4-吡喃二甲酸二乙酯及其衍生物的方法，本发明制备方法以丙二酸二乙酯和取代二氯乙醚为原料，碘化亚铜催化，以叔丁醇钾、叔丁醇钠、叔戊醇钠中的一种或几种的混合物为碱，进行反应，反应结束后，减压蒸除溶剂，再继续减压蒸馏，得到4,4-吡喃二甲酸二乙酯及其衍生物。本发明制备方法，以前未曾报道过，所用原料易得，反应方法简单易行，反应时间较短，具有较高的应用价值和市场价值。
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公开(公告)号：CN104910116A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510255683.X
申请日：2015-05-19
Applicant: 中节能万润股份有限公司
IPC: C07D309/08 , C07D309/10
CPC classification number: C07D309/08 , C07D309/10
Abstract: 本发明涉及一种制备4,4-吡喃二甲酸二乙酯及其衍生物的方法，本发明制备方法以丙二酸二乙酯和取代二氯乙醚为原料，碘化亚铜催化，以叔丁醇钾、叔丁醇钠、叔戊醇钠中的一种或几种的混合物为碱，进行反应，反应结束后，减压蒸除溶剂，再继续减压蒸馏，得到4,4-吡喃二甲酸二乙酯及其衍生物。本发明制备方法，以前未曾报道过，所用原料易得，反应方法简单易行，反应时间较短，具有较高的应用价值和市场价值。
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