一种有机电致发光材料及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN104403662B

    公开(公告)日:2016-06-22

    申请号:CN201410632792.4

    申请日:2014-11-11

    Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光材料及其制备方法、应用,该材料为以1,5-萘啶为中心,且具有并环结构的有机小分子材料,具有如下结构:其中,Ar1和Ar2分别为含有取代基或不含取代基的芳香环或芳香杂环,进一步为含有取代基或不含取代基的苯环、萘环、吡啶、[1,8]萘啶、嘧啶或三嗪,Ar1和Ar2可以相同,也可以不同。该类材料具有合适的分子能级,较高的玻璃化转变温度,可以作为磷光主体材料,用于制备有机电致发光器件的功能层,尤其是发光层,应用在有机电致发光领域中。

    用于光刻胶底部抗反射涂层的聚合物及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117872680B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202410269048.6

    申请日:2024-03-11

    Abstract: 本发明涉及光刻胶技术领域,具体涉及用于光刻胶底部抗反射涂层的聚合物及制备方法和应用,所述聚合物具有如下结构式:#imgabs0#;a、b、c分别为聚合物中重复单元的质量分数,a选自1‑10%,b选自10‑80%,c选自10‑80%,所述聚合物的重均分子量选自4000‑10000Da,分子量分散系数选自1.0‑3.0。制备方法为:三种单体在溶剂中,经缩聚反应得到目标聚合物。所述聚合物可应用于光刻胶底部抗反射涂层,所述聚合物可有效阻止光刻胶辐射光穿透反射涂层,大幅提高光刻胶显影图案的分辨率。

    用于光刻胶底部抗反射涂层的聚合物及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117872680A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202410269048.6

    申请日:2024-03-11

    Abstract: 本发明涉及光刻胶技术领域,具体涉及用于光刻胶底部抗反射涂层的聚合物及制备方法和应用,所述聚合物具有如下结构式:#imgabs0#;a、b、c分别为聚合物中重复单元的质量分数,a选自1‑10%,b选自10‑80%,c选自10‑80%,所述聚合物的重均分子量选自4000‑10000Da,分子量分散系数选自1.0‑3.0。制备方法为:三种单体在溶剂中,经缩聚反应得到目标聚合物。所述聚合物可应用于光刻胶底部抗反射涂层,所述聚合物可有效阻止光刻胶辐射光穿透反射涂层,大幅提高光刻胶显影图案的分辨率。

    一种反应釜用自旋转清洗机构

    公开(公告)号:CN220738917U

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202322392426.3

    申请日:2023-09-05

    Inventor: 肖彦旭 张钊

    Abstract: 本实用新型涉及反应釜清洗技术领域,尤其是一种反应釜用自旋转清洗机构,包括安装于釜体内部的清洗管路以及安装在清洗管路上与其内腔相通的若干个喷头组件,该清洗管路的顶部旋转安装在电机的电机轴上,该清洗管路的底部贯穿釜体底部后与清洗介质源连通,且清洗管路的底部通过密封机构旋转安装在釜体底部,所述清洗管路设置为环状,所述喷头组件包括若干个反冲喷头,该反冲喷头水平安装于清洗管路的至少一个竖直管段上,且该反冲喷头的喷头轴线在竖直投影方向上与清洗管路的水平轴线之间的夹角为锐角α,用于解决现有技术中反应釜清洗装置普遍存在的结构稳定性差、适配性低且能耗高的技术问题。

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