公开(公告)号：CN119161524B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411649152.4

申请日：2024-11-19

Applicant: 中节能万润股份有限公司

Inventor： 张鹏程 ,  王国政 ,  陈帅 ,  高宪鹏

IPC: C08F212/14 ,  C08F212/08 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种用于电子束光刻胶的聚合物及其制备方法和应用，所述聚合物具有如下结构式：#imgabs0#；x、y、z分别为所述聚合物重复单元的质量分数，x选自60‑74%，y选自25‑35%，z选自1‑10%，所述聚合物重均分子量为2000‑20000Da，分子量分散系数为1.0‑3.0。所述制备方法为：将单体A、单体B、单体C、自由基引发剂混合后溶解在电子级反应溶剂中制备混合溶液，再将所述混合溶液滴加至电子级反应溶剂中，控制反应温度和反应时间，反应完毕，将反应体系滴加至不良溶剂中造粒得到所述的聚合物。用该聚合物配制的光刻胶组合物具有高分辨率、高灵敏度。

公开(公告)号：CN119708332A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411963988.1

申请日：2024-12-30

Applicant: 中节能万润股份有限公司

Inventor： 张鹏程 ,  王国政 ,  刘文昭 ,  岳彩利 ,  陈帅

IPC: C08F220/18 ,  G03F7/004 ,  C08F220/20 ,  C08F220/32

Abstract: 本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种用于ArF光刻胶的聚合物及其制备方法和光刻胶组合物，所述聚合物的结构通式如下：#imgabs0#x、y、z、m分别为聚合物重复单元的质量分数，x选自5‑10％，y选自10‑20％，z选自25‑50％，m选自35‑50％，所述聚合物的重均分子量选自2000‑20000Da，所述聚合物的分子量分散系数为1.0‑3.0。所述制备方法为：将单体A、单体B、单体C、单体D、自由基引发剂混合后溶解在电子级反应溶剂中制备混合溶液，通过控制反应温度和反应时间制备出聚合物，反应完毕，将反应体系滴加至不良溶剂中造粒得到所述聚合物。所述聚合物配制的光刻胶组合物粘附力高、耐抗蚀性好、图形稳定。

公开(公告)号：CN117872680B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410269048.6

申请日：2024-03-11

Applicant: 中节能万润股份有限公司

Inventor： 房立平 ,  陈帅 ,  张鹏程 ,  张钊 ,  朱晓利

IPC: G03F7/09

Abstract: 本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及用于光刻胶底部抗反射涂层的聚合物及制备方法和应用，所述聚合物具有如下结构式：#imgabs0#；a、b、c分别为聚合物中重复单元的质量分数，a选自1‑10%，b选自10‑80%，c选自10‑80%，所述聚合物的重均分子量选自4000‑10000Da，分子量分散系数选自1.0‑3.0。制备方法为：三种单体在溶剂中，经缩聚反应得到目标聚合物。所述聚合物可应用于光刻胶底部抗反射涂层，所述聚合物可有效阻止光刻胶辐射光穿透反射涂层，大幅提高光刻胶显影图案的分辨率。

公开(公告)号：CN117872680A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410269048.6

申请日：2024-03-11

Applicant: 中节能万润股份有限公司

Inventor： 房立平 ,  陈帅 ,  张鹏程 ,  张钊 ,  朱晓利

IPC: G03F7/09

Abstract: 本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及用于光刻胶底部抗反射涂层的聚合物及制备方法和应用，所述聚合物具有如下结构式：#imgabs0#；a、b、c分别为聚合物中重复单元的质量分数，a选自1‑10%，b选自10‑80%，c选自10‑80%，所述聚合物的重均分子量选自4000‑10000Da，分子量分散系数选自1.0‑3.0。制备方法为：三种单体在溶剂中，经缩聚反应得到目标聚合物。所述聚合物可应用于光刻胶底部抗反射涂层，所述聚合物可有效阻止光刻胶辐射光穿透反射涂层，大幅提高光刻胶显影图案的分辨率。

公开(公告)号：CN117304394A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311609279.9

申请日：2023-11-29

Applicant: 中节能万润股份有限公司

Inventor： 许磊 ,  曹晓雷 ,  陈帅 ,  刘文昭 ,  张鹏程

IPC: C08F220/24 ,  C08F220/38 ,  C09D133/16 ,  C09D133/14 ,  C08F220/18

Abstract: 本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种用于光刻胶顶层涂层的聚合物、制备方法及应用，所述光刻胶为193nm浸没式光刻胶，所述聚合物为如下结构： ；x、y、z、w分别为聚合物中重复单元的质量分数，x选自30‑80%，y选自10‑50%，z选自1‑20%，w选自1‑20%，所述聚合物的分子量选自2000‑50000Da，PDI选自1.0‑4.0。所述聚合物应用于193nm浸没式光刻胶顶层涂层。所述聚合物能够有效地降低浸没式曝光时光致产酸剂对光学镜头的污染程度，并且能够增加光刻胶顶层涂层的接触角，且光致产酸剂沥出量极少。

公开(公告)号：CN117304394B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311609279.9

申请日：2023-11-29

Applicant: 中节能万润股份有限公司

Inventor： 许磊 ,  曹晓雷 ,  陈帅 ,  刘文昭 ,  张鹏程

IPC: C08F220/24 ,  C08F220/38 ,  C09D133/16 ,  C09D133/14 ,  C08F220/18

Abstract: 本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种用于光刻胶顶层涂层的聚合物、制备方法及应用，所述光刻胶为193nm浸没式光刻胶，所述聚合物为如下结构： ；x、y、z、w分别为聚合物中重复单元的质量分数，x选自30‑80%，y选自10‑50%，z选自1‑20%，w选自1‑20%，所述聚合物的分子量选自2000‑50000Da，PDI选自1.0‑4.0。所述聚合物应用于193nm浸没式光刻胶顶层涂层。所述聚合物能够有效地降低浸没式曝光时光致产酸剂对光学镜头的污染程度，并且能够增加光刻胶顶层涂层的接触角，且光致产酸剂沥出量极少。

公开(公告)号：CN119161524A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411649152.4

申请日：2024-11-19

Applicant: 中节能万润股份有限公司

Inventor： 张鹏程 ,  王国政 ,  陈帅 ,  高宪鹏

IPC: C08F212/14 ,  C08F212/08 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种用于电子束光刻胶的聚合物及其制备方法和应用，所述聚合物具有如下结构式：#imgabs0#；x、y、z分别为所述聚合物重复单元的质量分数，x选自60‑74%，y选自25‑35%，z选自1‑10%，所述聚合物重均分子量为2000‑20000Da，分子量分散系数为1.0‑3.0。所述制备方法为：将单体A、单体B、单体C、自由基引发剂混合后溶解在电子级反应溶剂中制备混合溶液，再将所述混合溶液滴加至电子级反应溶剂中，控制反应温度和反应时间，反应完毕，将反应体系滴加至不良溶剂中造粒得到所述的聚合物。用该聚合物配制的光刻胶组合物具有高分辨率、高灵敏度。