一种高性能多层复合磁体的制备方法

    公开(公告)号:CN115547671A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211442520.9

    申请日:2022-11-18

    Abstract: 本发明公开了一种高性能多层复合磁体的制备方法,属于磁性材料技术领域。该制备方法包括:本发明利用磁控溅射工艺将按原子百分比的Mn45Bi55合金靶材、Fe60Co40合金靶材和Ce16Fe76B8合金靶材按顺序依次溅射在尺寸为10 mm*10 mm的Si片基底上,制得(MnBi/FeCo/CeFeB)×N(N=1~5)多层夹心结构薄膜,之后对多层薄膜进行原位下的磁场辅助激光加热热处理,实现LTP MnBi相、软磁FeCo相和Ce2Fe14B相的形成及软/硬之间的有效复合,最终获得高性能多层复合磁体。本发明方法工艺简单,成型容易,降低了成本,有利于高性能磁体在更多永磁器件中的应用。

    用磁隧道结自由层和参考层矫顽场平均值测量温度的方法

    公开(公告)号:CN115655506A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211426751.0

    申请日:2022-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种用磁隧道结自由层和参考层矫顽场平均值测量温度的方法,包括以下步骤:(1)利用电阻加热平台,测量磁隧道结自由层和参考层各自的矫顽场,再对其进行平均值处理得到最终矫顽场平均值随着温度变化的曲线;(2)计算得到温度矫顽场系数;(3)以室温T0=23℃时的自由层和参考层矫顽场平均值作为基准矫顽场;以磁隧道结作为测温元器件进行测温。本发明采用上述的用磁隧道结自由层和参考层矫顽场平均值测量温度的方法,有效缓解磁畴不在理想的单畴状态导致的温度测量误差,使温度测量具有较高的精度和灵敏度。

Patent Agency Ranking