用磁隧道结自由层和参考层矫顽场平均值测量温度的方法

    公开(公告)号:CN115655506A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211426751.0

    申请日:2022-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种用磁隧道结自由层和参考层矫顽场平均值测量温度的方法,包括以下步骤:(1)利用电阻加热平台,测量磁隧道结自由层和参考层各自的矫顽场,再对其进行平均值处理得到最终矫顽场平均值随着温度变化的曲线;(2)计算得到温度矫顽场系数;(3)以室温T0=23℃时的自由层和参考层矫顽场平均值作为基准矫顽场;以磁隧道结作为测温元器件进行测温。本发明采用上述的用磁隧道结自由层和参考层矫顽场平均值测量温度的方法,有效缓解磁畴不在理想的单畴状态导致的温度测量误差,使温度测量具有较高的精度和灵敏度。

    一种利用磁隧道结RKKY耦合的温度依赖性测量温度的方法

    公开(公告)号:CN115683380A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211389721.7

    申请日:2022-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种利用磁隧道结RKKY耦合的温度依赖性测量温度的方法,包括以下步骤:(1)选取合适的磁隧道结;(2)获得磁电阻分别与偏置电压、温度的关系;(3)获得矫顽场分别和偏置电压、温度的关系;(4)利用插值法,归一化法,依靠矫顽场对温度和偏置电压的依赖性,得到线性的偏置电压与温度变化相关性。本发明采用上述的一种利用磁隧道结RKKY耦合的温度依赖性测量温度的方法,消除了STT对P、AP态开关场的影响,测试条件简单、操作安全,成本低,提高了传感器的测量精度。

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