采用等效物理结构模型测量SiO2薄膜厚度的方法

    公开(公告)号:CN109238155B

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201811296986.6

    申请日:2018-11-01

    Abstract: 本发明为一种采用等效物理结构模型测量SiO2薄膜厚度的方法,其特征在于:所述测量SiO2薄膜厚度的方法是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量SiO2薄膜的厚度,所述的等效物理结构模型是根据SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型,实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底层,其中所述的中间混合层为Si基底层与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本发明可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性,为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。

    一种微纳米台阶标准样板及其循迹方法

    公开(公告)号:CN106931916A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201710130912.4

    申请日:2017-03-07

    CPC classification number: G01B21/042 G01B15/00 G01Q40/02

    Abstract: 本发明为一种微纳米台阶标准样板及其循迹方法,其特征在于:所述的微纳米台阶标准样板包括A工作区域及B循迹区域;所述的A工作区域内设有一个纳米级台阶、四个校准定位块及四个循迹参考定位块,通过所述B循迹区域内两对相互对称的等腰三角形形状的循迹标识符配合设置的设计单位标识符和样板型号标识符,确定微纳米台阶标准样板摆放方向与具体位置,通过所述A工作区域内的四个校准定位块在A工作区域内从纵向上快速校准定位,通过所述A工作区域内的四个循迹参考定位块在A工作区域内从横向上快速进行定位,并通过两两循迹参考定位块间的间隙确定测量的初始位置,完成整个校准过程,实现快速、高效的定位和校准,并具有很好的重复性。

    采用等效物理结构模型测量SiO2薄膜厚度的方法

    公开(公告)号:CN109238155A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201811296986.6

    申请日:2018-11-01

    Abstract: 本发明为一种采用等效物理结构模型测量SiO2薄膜厚度的方法,其特征在于:所述测量SiO2薄膜厚度的方法是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量Si/SiO2薄膜的厚度,所述的等效物理结构模型是根据Si/SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型,实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底,其中所述的中间混合层为Si基底与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本发明可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性,为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。

    基于白光干涉术的测试系统及其测试方法

    公开(公告)号:CN106017349A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610401870.9

    申请日:2016-06-08

    CPC classification number: G01B11/2441

    Abstract: 本发明为一种基于白光干涉术的测试系统及其测试方法,其特征在于:所述的测试系统包括显微光学系统、数字CCD摄像机、图像采集卡、干涉系统、压电陶瓷、压电陶瓷控制器、气浮平台、白光卤素光源和PC机。本发明的测试方法通过PC机操作压电陶瓷控制器控制压电陶瓷带动被测样品进行垂直扫描,使干涉条纹扫过被测区域,并由数字CCD摄像机记录采集的图像;PC机对采集的图像滤波后提取单个像素点的白光干涉信号,减去得到的白光干涉条纹的背景光强值,对各像素点的光强进行时域到频域的转换,在频域内做分解,得到波数和相位的关系;通过综合干涉信号频域内波数与相位信息从而得到零光程差的位置,实现表面高度信息的提取。

    一种测量SiO2薄膜厚度用的等效物理结构模型

    公开(公告)号:CN209116974U

    公开(公告)日:2019-07-16

    申请号:CN201821794604.8

    申请日:2018-11-01

    Abstract: 本实用新型为一种测量SiO2薄膜厚度用的等效物理结构模型,其特征在于:所述测量SiO2薄膜厚度是基于椭偏法采用微纳米薄膜厚度标准样片结合等效物理结构模型进行测量的,所述的等效物理结构模型是根据Si/SiO2薄膜的实际多层膜物理结构模型建立的简化等效物理结构模型,实际多层膜物理结构模型顺序包括表面粗糙层、SiO2薄膜层、中间混合层及Si基底,其中所述的中间混合层为Si基底与SiO2薄膜层之间反应产生的SixOy产物膜层。本实用新型可保证不同厂家、型号的椭偏仪建立薄膜物理结构模型的统一性与结果的一致性,为建立和完善微纳米薄膜量值溯源体系奠定基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种自由空间光通信AF相干探测OFDM多跳装置

    公开(公告)号:CN206181036U

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201621283911.0

    申请日:2016-11-28

    Inventor: 李源 王怡 章奥

    Abstract: 本实用新型公开了一种自由空间光通信AF相干探测OFDM多跳装置,它包括依次相连的发射端、L个AF中继节点和接收端;其中L为正整数,L个AF中继节点安放在发射端到接收端的非直线路径上。本实用新型能够很好的扩大发射端的覆盖范围以及提高通信抗大气湍流能力,整个多跳系统结构简单、提高了系统设计灵活性且易于实用。

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