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公开(公告)号：CN115768107A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111026608.8
申请日：2021-09-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以使得电容器所包括的下电极的阻抗满足预设方案的要求，提高电容器的工作性能。所述半导体器件包括：基底、电容器和支撑结构。电容器形成在基底上。支撑结构环绕在电容器所包括的下电极的外周。支撑结构上开设有刻蚀图案。下电极与刻蚀图案相对应的部分的顶部轮廓为弧形轮廓。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
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