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公开(公告)号：CN116222422A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310091741.4
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01B11/24 , G01B11/00 , G01B9/02001
Abstract: 本公开提供一种相位光栅位置测量系统及测量结构参数的方法，该方法包括：S1，利用相位光栅位置测量系统扫描光栅标记(107)，得到测量信号；S2，从测量信号中分离出各衍射级次的测量信号，获取各衍射级次的相位信息和光强信息；S3，根据相位信息计算得到光栅标记(107)的位置信息；S4，根据光强信息计算得到光栅标记(107)的结构参数。本公开利用相位光栅的衍射场信息，在测量光栅标记位置的同时，可获得光栅标记的结构信息，便于分析光栅加工工艺过程对设计结构的改变以及对于测量的影响。
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公开(公告)号：CN110880469B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201911178873.0
申请日：2019-11-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种硅片对准标记布局的优化方法，该方法包括初始化对准标记个数，选取对准标记所在的场格；根据硅片变形数据，优化对准标记所处场格；优化对准标记在场格中的位置；计算最小的对准标记个数，即完成所述硅片对准标记布局优化。本发明通过优化方法给出最优的对准标记位置，从而提高套刻对准性能；通过优化方法给出最少对准标记测量个数，从而减少对准系统测量时间，为提升产率提供可能。
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公开(公告)号：CN111649693A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010464683.1
申请日：2020-05-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01B11/25
Abstract: 本公开提供了一种样品形貌测量装置及方法。所述装置包括：顺次设置的光源组件(101)、照明组件(102)、投影光栅组件(103)、光阑组件(104)、投影光学组件(105)，顺次设置的探测光学组件(107)、探测光栅组件(108)、数据采集组件(109)，以及设置在投影光学组件(105)和探测光学组件(107)之间光路上的运动台(110)，待测样品(106)放置在运动台(110)上。利用光阑组件筛选出低衍射级次信号来测量样品高度，保证测量范围，并根据测量结果选择高衍射级次信号再次测量样品高度，提高测量精度。
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公开(公告)号：CN114035474B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202111329854.0
申请日：2021-11-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明提供一种采样信号同步控制系统，包括硅片对准测量模块、以及工件台位置测量模块；其中，所述硅片对准测量模块包括通过外同步总线、内同步总线、以及管理和数据总线连接的对准测量CPU板卡、对准测量同步控制板卡、对准测量数据交换板卡、对准测量并行计算板卡、对准光电解调采集板卡；所述工件台位置测量模块包括通过自定义总线、以及管理总线连接的位置测量CPU板卡、位置测量同步控制板卡、位置测量计数板卡。本发明提供的技术方案可有效解决采样信号同步误差大、同步脉冲触发失效和同步节拍漏拍以及系统可靠性低等问题。
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公开(公告)号：CN110620067B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910908045.1
申请日：2019-09-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种调整吸盘吸力分布改善硅片翘曲的方法，该方法包括：获取当前待曝光硅片的形貌图，得到硅片表面高度分布信息数据；根据硅片表面高度分布信息数据计算当前硅片局部翘曲度；根据计算出的当前硅片局部翘曲度计算硅片表面局部吸附载荷；根据计算出的硅片表面局部吸附载荷调整硅片表面吸点吸力大小。本发明提出的调整吸盘吸力分布改善硅片翘曲的方法，基于吸孔密集化分布且局部或单一吸孔独立可控的吸盘结构，根据计算出的硅片表面局部吸附载荷调整硅片表面吸点吸力大小可实现对不同形状和翘曲程度的硅片达到理想修正。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114035474A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111329854.0
申请日：2021-11-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明提供一种采样信号同步控制系统，包括硅片对准测量模块、以及工件台位置测量模块；其中，所述硅片对准测量模块包括通过外同步总线、内同步总线、以及管理和数据总线连接的对准测量CPU板卡、对准测量同步控制板卡、对准测量数据交换板卡、对准测量并行计算板卡、对准光电解调采集板卡；所述工件台位置测量模块包括通过自定义总线、以及管理总线连接的位置测量CPU板卡、位置测量同步控制板卡、位置测量计数板卡。本发明提供的技术方案可有效解决采样信号同步误差大、同步脉冲触发失效和同步节拍漏拍以及系统可靠性低等问题。
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公开(公告)号：CN114420673A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210011983.3
申请日：2022-01-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , G06F30/392 , G01B11/00
Abstract: 在本公开提供了一种对准标记的布局方法，应用于半导体技术领域，包括：获取待标记样品上x轴方向的划片槽和y轴方向的划片槽，在该x轴方向的划片槽和该y轴方向的划片槽内均放置一对准标记，将两个该对准标记的中心重叠，以及，将两个该对准标记的中心放置在该x轴方向的划片槽和该y轴方向的划片槽的交叉中心处。本申请还公开了一种半导体器件、位置测量方法及电子设备。
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公开(公告)号：CN112833790A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110084779.X
申请日：2021-01-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01B11/00
Abstract: 一种减小相位光栅非对称性对位置测量精度影响的方法，包括以下步骤：根据相位光栅设计值和加工精度，确定非对称性变化范围，进而确定非对称性光栅结构；建立非对称性光栅仿真模型；将所述非对称性光栅结构输入到所述非对称性光栅仿真模型中，仿真非对称性变化范围内，各衍射级次的位置误差曲线；根据获得的各衍射级次位置误差差异，确定各衍射级次的权重，减小非对称性变化的影响。本发明提出的方法不需要测量光栅的形貌，只需根据加工精度确定光栅非对称性变化范围，就可以减小该范围内非对称性变化对位置测量精度的影响。
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公开(公告)号：CN110968000B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201911211916.0
申请日：2019-11-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明公开了一种基于OpenVPX架构的测控系统同步控制系统，包括：硅片对准测量分系统，内置有对准测量并行计算板卡；工件台位置测量分系统，与硅片对准测量分系统通过光纤数据通道和外同步总线实现互连；以及系统同步控制时序，基于操作系统并结合硅片对准测量分系统和工件台位置测量分系统共同实现同步控制。本发明提供的该基于OpenVPX架构的测控系统同步控制系统，具有灵活的网络拓扑结构，能够完成测控系统精确的同步控制和高精度并行计算。
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公开(公告)号：CN110880469A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911178873.0
申请日：2019-11-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种硅片对准标记布局的优化方法，该方法包括初始化对准标记个数，选取对准标记所在的场格；根据硅片变形数据，优化对准标记所处场格；优化对准标记在场格中的位置；计算最小的对准标记个数，即完成所述硅片对准标记布局优化。本发明通过优化方法给出最优的对准标记位置，从而提高套刻对准性能；通过优化方法给出最少对准标记测量个数，从而减少对准系统测量时间，为提升产率提供可能。
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