公开(公告)号：CN114118141A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111291592.3

申请日：2021-11-02

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 武志鹏 ,  李璟 ,  丁敏侠 ,  马会娟 ,  杨光华 ,  钟丽娜

IPC: G06K9/00 ,  G06F17/14

Abstract: 本公开提供一种位置探测信号的分析方法，包括：获取位置探测信号的信号特性；根据所述信号特性，使用小波变换对所述位置探测信号进行时频分析，得到时频信息；根据所述时频信息，分析得到所述位置探测信号的畸变信息以及图形标记信息。在本公开中，采用小波变换，对获得的所述位置探测信号进行小波分解，同时获得信号的时域和频域特性。对于频域的分析，能够获得所述位置探测信号在特定频率范围的分布情况，同时能够获得所述位置探测信号的频率特性。对于时域分析，能够获得所述位置探测信号在整个测试周期内的整体变化情况，同时获得某些由外界干扰和位置探测标记缺陷、变型所引起的探测信号畸变所处于的时刻以及对应于标记的空间位置。

公开(公告)号：CN114420673A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210011983.3

申请日：2022-01-06

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李璟 ,  张清洋 ,  丁敏侠 ,  杨光华 ,  朱世懂 ,  钟丽娜

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  G06F30/392 ,  G01B11/00

Abstract: 在本公开提供了一种对准标记的布局方法，应用于半导体技术领域，包括：获取待标记样品上x轴方向的划片槽和y轴方向的划片槽，在该x轴方向的划片槽和该y轴方向的划片槽内均放置一对准标记，将两个该对准标记的中心重叠，以及，将两个该对准标记的中心放置在该x轴方向的划片槽和该y轴方向的划片槽的交叉中心处。本申请还公开了一种半导体器件、位置测量方法及电子设备。

公开(公告)号：CN116088168A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211670901.2

申请日：2022-12-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 杨光华 ,  李璟 ,  张清洋 ,  钟丽娜

IPC: G02B27/00 ,  G02B5/18 ,  G03F9/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供了一种减小位置测量误差的光栅结构优化方法，包括：根据不同衍射级次信号的强度，建立相位光栅结构的评价方法以描述结构的优劣；而后根据该评价方法选出一种或多种结果较好的光栅结构作为初始的光栅结构；再根据制造过程中可能引入的变形生成对应的变形后的光栅结构；而后比较上述初始的光栅结构和变形后的光栅结构给出多组用于对比的光栅排布组合，并对其进行制板，加工出实验用的标记测量板；接着由对比测量结果建立起光栅结构变形与所引入的位置误差的对应关系；最后根据该对应关系优化初始的光栅结构，得到优化后的光栅结构。该优化后的光栅结构能够抵消或缓解制造工艺过程中引入的变形对位置测量精度的影响，减小位置测量误差。