公开(公告)号：CN1521861A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN03103590.6

申请日：2003-01-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李建明 ,  种明 ,  杨丽卿 ,  徐嘉东 ,  胡传贤 ,  段晓峰 ,  高旻 ,  朱建成 ,  王凤莲

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种半导体光电转换器件，其是将入射光与光电转换器件表面法线形成一小于90度的夹角θ。其可提高半导体光电转换器件的光生电流和光电转换效率，其特点是倾斜半导体光电转换器件，使器件表面与入射光不垂直，而成一定的夹角。由于光线在器件中的路径不是沿与器件表面垂直的方向，因此光线在器件中的路径就比光线垂直入射的情况要长，这能使光在器件中得到更多的吸收，并产生更大的光生电流，进而提高光探测器的灵敏度或太阳能电池的效率。

公开(公告)号：CN88206944U

公开(公告)日：1988-12-28

申请号：CN88206944

申请日：1988-06-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王凤莲 ,  褚一鸣 ,  陆珉华

IPC: G01N1/28

Abstract: 本实用新型公开了一种新的离子轰击减薄装置，它既可以选用氩离子束流轰击样品，又可以选用碘离子束流轰击样品，设在样品室两侧的碘蒸气升华腔为形成碘离子束提供碘蒸气流。利用这种装置能够制备更多种材料的薄膜样品，满足透射电子显微镜的观测需求。