公开(公告)号：CN101525740B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810101357.3

申请日：2008-03-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王莉莉 ,  张书明 ,  杨辉 ,  梁骏吾

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量四氯化碳，其包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温并通入氨气预处理；降温至生长温度，同时通入三甲基铟(TMI)、氨气(NH3)、少量四氯化碳，生长出高质量的氮化铟单晶外延膜。本发明可以提高InN的结晶质量，并提高表面的平整度。

公开(公告)号：CN101525740A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200810101357.3

申请日：2008-03-05

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王莉莉 ,  张书明 ,  杨辉 ,  梁骏吾

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法，所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量卤化物，其包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温并通入氨气预处理；降温至生长温度，同时通入三甲基铟(TMI)、氨气(NH3)、少量卤化物，生长出高质量的氮化铟单晶外延膜。本发明可以提高InN的结晶质量，并提高表面的平整度。