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公开(公告)号:CN1053596C
公开(公告)日:2000-06-21
申请号:CN96104510.8
申请日:1996-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B01D53/46
Abstract: 本发明公开了一种处理半导体工艺中产生的含砷及砷化合物的废气的方法。首先去除废气中的油蒸汽,然后用KIO3、KI和H2SO4混合溶液对废气进行鼓泡、逆向喷淋处理,再分别用CuSO4、H2SO4混合溶液、KMnO4、NaOH混合溶液对废气进行逆向喷淋处理。并采取过压保护及报警措施以便在气路堵塞时处理气体。该方法对废气中有毒成份去除效率高,并消除了砷烷自爆的可能,使用更安全。
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公开(公告)号:CN1139588A
公开(公告)日:1997-01-08
申请号:CN96104510.8
申请日:1996-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B01D53/46
Abstract: 本发明公开了一种处理半导体工艺中产生的含砷及砷化合物的废气的方法。首先去除废气中的油蒸汽,然后用KIO3、KI和H2SO4混合溶液对废气进行鼓泡、逆向喷淋处理,再分别用CuSO4、H2SO4混合溶液、KMnO4、NaOH混合溶液对废气进行逆向喷淋处理。并采取过压保护及报警措施以便在气路堵塞时处理气体。该方法对废气中有毒成分去除效率高,并消除了砷烷自爆的可能,使用更安全。
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公开(公告)号:CN2277834Y
公开(公告)日:1998-04-08
申请号:CN96222517.7
申请日:1996-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B08B15/04
Abstract: 本实用新型公开了一种适用于半导体材料制备中清除有毒的砷、磷粉末的粉尘清除器,包括粉尘导管、法兰盘、孔板、过滤室、袋状过滤膜、出口导管和离心式抽风机。含有粉尘的气体在离心式抽风机的作用下,通过粉尘导管和孔板进入袋状过滤膜的袋口,再从过滤膜穿过,从而使粉尘吸着在过滤膜上。它能有效地清除半导体单晶炉中的砷、磷粉末,且过滤膜便于更换。
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公开(公告)号:CN2063694U
公开(公告)日:1990-10-10
申请号:CN90203696.3
申请日:1990-03-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本实用新型公开了一种在上管壁周边设有水幕围栏的半导体气相外延反应管。在围栏的一侧端有出水口,出水口下方设有集水器。在进行外延反应的同时可在围栏内一端注入高纯水,另一端出水,使上管壁冷却,以此减少壁面沉淀,提高外延层质量。
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