公开(公告)号：CN102508079B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201110355312.0

申请日：2011-11-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 仇光寅 ,  魏彦锋 ,  陈倩男 ,  孙权志 ,  孙瑞赟

IPC: H01L21/465

Abstract: 本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品后续的霍尔测试，可以正确标定碲镉汞外延材料的电学性质，排除碲镉汞界面层对碲镉汞外延材料电学性质的影响。本方法操作方便，仪器要求简单，能够有效的去除碲镉汞界面层。解决了长久以来，难以排除界面层对碲镉汞材料影响，正确标定碲镉汞电学参数的问题。这对研究碲镉汞外延材料特性有着重要意义。

公开(公告)号：CN103014844A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210506144.5

申请日：2012-11-30

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 孙权志 ,  魏彦锋 ,  杨建荣 ,  孙瑞贇 ,  仇光寅 ,  陈倩男

IPC: C30B19/06 ,  C30B29/48

Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞垂直液相外延样品架。它是在样品架平面上，存在顶端和左右两侧三条闭合的覆盖压条，以及底端固定夹具。三条覆盖压条和夹具都有与样品架平面成45度的斜面，与衬底边缘接触。夹具通过紧固螺丝固定在样品架平面上。该样品架适用于碲镉汞垂直液相外延生长，衬底夹持固定时，覆盖压条包覆压紧衬底的上部和左右两侧，能从正面就开始阻止外延时母液渗入到衬底背面，夹具压紧衬底底端，覆盖压条和夹具的共同作用能把衬底紧紧地平贴在样品架平面上，减小衬底背面与样品架平面的间隙，阻止外延生长时母液渗入到衬底背面，从而消除外延片背面残留沾液。

公开(公告)号：CN102508079A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110355312.0

申请日：2011-11-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 仇光寅 ,  魏彦锋 ,  陈倩男 ,  孙权志 ,  孙瑞赟

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品后续的霍尔测试，可以正确标定碲镉汞外延材料的电学性质，排除碲镉汞界面层对碲镉汞外延材料电学性质的影响。本方法操作方便，仪器要求简单，能够有效的去除碲镉汞界面层。解决了长久以来，难以排除界面层对碲镉汞材料影响，正确标定碲镉汞电学参数的问题。这对研究碲镉汞外延材料特性有着重要意义。