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发明公开
一种基于ALD沉积Al2O3作掩膜的超声湿法刻蚀方法无效

公开(公告)号：CN111584359A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010384277.4

申请日：2020-05-09

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 谢浩 , 胡淑红 , 林虹宇 , 黄田田 , 陈鑫 , 戴宁

IPC: H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种基于ALD沉积Al2O3作掩膜的超声湿法刻蚀方法。本方法步骤如下：第一步，使用原子沉积技术(ALD)在Ⅲ-Ⅴ族合金半导体器件样品表面沉积Al2O3薄膜；第二步，采用光刻、腐蚀工艺，选择性刻蚀Al2O3，形成Al2O3台面图案掩膜；第三步，在超声清洗机中边超声边进行湿法刻蚀，刻蚀出所需台面；第四步，使用BOE腐蚀液去除Al2O3掩膜。本发明的优点在于：一方面，使用ALD沉积Al2O3替代光刻胶作掩膜，防止因湿法刻蚀时间过长或超声振动而发生脱胶的现象；另一方面，边超声边进行湿法腐蚀，可以防止导电残留物富集在台阶侧面、形成导电通道，有效地降低器件暗电流密度、提高器件性能。

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