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公开(公告)号：CN105785073A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410815643.1
申请日：2014-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明提供一种压阻式加速度传感器及其制作方法，该传感器的改进点在于敏感结构部分，敏感结构中的质量块左右两侧对称设有相互独立的各四个敏感梁，每个敏感梁上设一个力敏电阻；四个敏感梁的两侧各设一个用于支撑质量块的支撑梁，将力敏电阻制作在独立的敏感梁上可减小敏感梁的宽度，从而显著减小敏感梁对结构倔强系数的影响，获得高灵敏度和高优值；敏感梁靠近质量块中线位置，其挠曲较小，可减小旁轴灵敏度。支撑梁靠近质量块边缘，其力臂长，可更好地抑制旁轴加速度引起的质量块扭转。支撑梁上表面较低，表面无氧化层，可减小氧化层应力引起的结构挠曲。敏感梁厚度大于支撑梁，可实现应力集中，从而提高灵敏度和优值。
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公开(公告)号：CN105785073B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201410815643.1
申请日：2014-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明提供一种压阻式加速度传感器及其制作方法，该传感器的改进点在于敏感结构部分，敏感结构中的质量块左右两侧对称设有相互独立的各四个敏感梁，每个敏感梁上设一个力敏电阻；四个敏感梁的两侧各设一个用于支撑质量块的支撑梁，将力敏电阻制作在独立的敏感梁上可减小敏感梁的宽度，从而显著减小敏感梁对结构倔强系数的影响，获得高灵敏度和高优值；敏感梁靠近质量块中线位置，其挠曲较小，可减小旁轴灵敏度。支撑梁靠近质量块边缘，其力臂长，可更好地抑制旁轴加速度引起的质量块扭转。支撑梁上表面较低，表面无氧化层，可减小氧化层应力引起的结构挠曲。敏感梁厚度大于支撑梁，可实现应力集中，从而提高灵敏度和优值。
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公开(公告)号：CN204330809U
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201420837962.8
申请日：2014-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本实用新型提供一种压阻式加速度传感器，该传感器的改进点在于敏感结构部分，敏感结构中的质量块左右两侧对称设有相互独立的各四个敏感梁，每个敏感梁上设一个力敏电阻；四个敏感梁的两侧各设一个用于支撑质量块的支撑梁，将力敏电阻制作在独立的敏感梁上可减小敏感梁的宽度，从而显著减小敏感梁对结构倔强系数的影响，获得高灵敏度和高优值；敏感梁靠近质量块中线位置，其挠曲较小，可减小旁轴灵敏度。支撑梁靠近质量块边缘，其力臂长，可更好地抑制旁轴加速度引起的质量块扭转。支撑梁上表面较低，表面无氧化层，可减小氧化层应力引起的结构挠曲。敏感梁厚度大于支撑梁，可实现应力集中，从而提高灵敏度和优值。
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公开(公告)号：CN119660670A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411699059.4
申请日：2024-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种二次封口真空封装工艺，包括如下步骤：(1)采用白锡作为封口焊料实现第一次真空封口；(2)将第一次封口后的MEMS微腔体结构在常温常压条件下放置；(3)第二次封口对准：将放置后的MEMS微腔体结构与第二次封口焊料对准并安装在制冷加热台上，并在二者之间放置催化剂；(4)对真空封装装置抽真空并保持，将制冷加热台的温度设定为低于13.2℃，使白锡转化为灰锡；(5)第二次真空封口：对真空封装装置抽真空，将制冷加热台的温度升高到焊接温度，使第二次封口焊料和掉落的灰锡粉末融化，并与电极焊接在一起，降温后完成第二次真空封口。本发明的封口工艺可提高真空封装工艺产能，降低产品成本。
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公开(公告)号：CN115215285B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202110431854.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅阳极键合的(111)硅转移工艺，其中，通过低应力氮化硅层，可实现高质量的阳极键合，同时保护键合结构不受后续释放工艺的腐蚀，形成稳定键合结构；通过闭合释放沟槽及腐蚀保护层，可形成厚度精确可控、不受晶向限制且可完全释放的敏感可动结构，从而本发明可实现(111)晶面上任意晶向MEMS器件的高精度及低成本制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115919270A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211370489.2
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/02
Abstract: 本发明提供一种基于密集柔性传感阵列的中医脉体软度判定方法，利用传感器阵列获取脉体随指压变化而产生的形变特征变化，以获得脉体软度判定结果；所述传感器阵列于一维阵列上包括的压力传感器个数≥5；本发明方法包括：将脉体的切脉过程根据施加压力由小到大，划分为若干个不同阶段；利用所述传感器阵列采集不同阶段的脉体压力分布曲线；基于所述脉体压力分布曲线，构建脉体的形变特征，并获取于各阶段的形变特征值；根据各所述形变特征值，获取脉体于所述切脉过程的总变化特征值；检测所述总变化特征值是否满足预设的脉体软度判定条件，根据检测结果获取脉体的软度判定结果，有效地提高了脉体软度判定的准确性。
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公开(公告)号：CN115813353A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211467963.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于传感阵列测脉搏波横向位置变化的紧脉特征识别方法，传感器阵列包括至少4个压力传感器，各压力传感器沿第一方向排列，所述第一方向与桡动脉的延伸方向呈夹角设置，中医紧脉特征识别方法包括：获得各压力传感器在同一时刻的脉搏压力值；得到多个压力采样点，将各压力采样点连成包络曲线；获得同一脉搏周期内的多条包络曲线选取最大的纵坐标最大值所对应的包络曲线作为该脉搏周期的压力分布曲线，在各压力分布曲线中取一标识点代表该压力分布曲线的位置，统计各标识点的横坐标的变化量；将变化量与紧脉判定阈值比较，得到紧脉特征识别结果。本发明的基于传感阵列测脉搏波横向位置变化的紧脉特征识别方法，能够识别紧脉等复杂脉象。
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公开(公告)号：CN115215285A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110431854.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅阳极键合的(111)硅转移工艺，其中，通过低应力氮化硅层，可实现高质量的阳极键合，同时保护键合结构不受后续释放工艺的腐蚀，形成稳定键合结构；通过闭合释放沟槽及腐蚀保护层，可形成厚度精确可控、不受晶向限制且可完全释放的敏感可动结构，从而本发明可实现(111)晶面上任意晶向MEMS器件的高精度及低成本制造。
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公开(公告)号：CN114371551A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011096018.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微纳加工技术领域，特别涉及一种微镜结构及其制备方法。衬底晶圆包括相对的第一表面和第二表面，所述驱动电极层设置在所述第一表面；所述衬底晶圆和所述驱动电极层上设有通孔；所述第一绝缘层设置在所述驱动电极层的表面和所述通孔的内壁上；所述支撑梁的第一端穿过所述通孔与所述固定层连接，所述支撑梁与所述通孔之间存在第一预设间隙；所述固定层设置在所述第二表面；所述驱动电极层中设有第一驱动电极、第二驱动电极和屏蔽电极；所述微镜设置在所述支撑梁的第二端上，所述微镜与所述第一绝缘层之间存在第二预设间隙。本申请实施例所述的微镜结构可以在减小单元尺寸的同时保证微镜的面内横向位移可与入射光波长相比拟。
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公开(公告)号：CN111721456B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010152321.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种复合触觉传感器，其包括力传感器，用于检测目标物体的压力值；摩擦发电机，该摩擦发电机与该力传感器连接，该摩擦发电机用于检测该目标物体与该摩擦发电机的接触滑移；支撑层，该支撑层上设有该力传感器和该摩擦发电机，该支撑层用于承载集成该力传感器和该摩擦发电机。本发明提供的复合触觉传感器具有能耗低的特点。
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