公开(公告)号：CN119995553A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411961117.6

申请日：2024-12-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 余豪 ,  孙珂 ,  杨恒 ,  缪晔辰

IPC: H03H9/24 ,  H03H9/02 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明涉及一种MEMS电容式谐振器结构及其制作方法，该MEMS谐振器由两个Lamé模态矩形谐振子和多根纵向振动细长梁强耦合而成，其中Lamé模态矩形谐振子由2n+1(n为正整数)个正方形Lamé模态谐振子组合。纵向振动细长梁与Lamé模态矩形谐振子的连接点在单个Lamé模态正方形谐振子的中心处，且纵向振动细长梁对称分布，使得整个谐振结构为中心对称结构。谐振结构的锚点可以设置在单个Lamé模态正方形谐振子的中心位置，也可以设置在Lamé模态矩形谐振子的四角，还可设置在纵向振动细长梁的中心节点位置。本发明通过强耦合设计将多个Lamé模态正方形谐振子组合而成的矩形谐振子增大了电极面积，可以显著降低谐振器的等效阻抗，有利于后端接口电路的设计。

公开(公告)号：CN119660663A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411689990.4

申请日：2024-11-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨恒 ,  余豪 ,  孙珂 ,  毛雨晴 ,  缪晔辰

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01B7/02 ,  G01D5/241

Abstract: 本发明涉及一种应力偏转电极及其制备工艺，所述应力偏转电极制作在衬底上，所述衬底包括依次设置的硅片、绝缘层和结构层；所述应力偏转电极包括电极、支撑电极的预应力梯度梁、底部锚点、锚点和金属电极；所述预应力梯度梁为双层结构，包括预应力膜和导电膜；所述预应力梯度梁通过底部锚点与硅片相连；所述电极通过连接点与导电膜连接，并通过导电膜与金属电极实现电学连接；在结构释放前，所述预应力梯度梁垂直于硅片表面；在结构释放后，所述预应力梯度梁发生偏转并停靠在硅片的停靠点上，通过锚点实现对应力偏转电极尾部的固定。本发明的应力偏转电极实现亚微米到纳米量级的电容间隙，可突破现有工艺的深宽比极限，还可实现多个电极紧密排列。

公开(公告)号：CN119660670A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411699059.4

申请日：2024-11-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孙珂 ,  杨恒 ,  缪晔辰 ,  余豪

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种二次封口真空封装工艺，包括如下步骤：(1)采用白锡作为封口焊料实现第一次真空封口；(2)将第一次封口后的MEMS微腔体结构在常温常压条件下放置；(3)第二次封口对准：将放置后的MEMS微腔体结构与第二次封口焊料对准并安装在制冷加热台上，并在二者之间放置催化剂；(4)对真空封装装置抽真空并保持，将制冷加热台的温度设定为低于13.2℃，使白锡转化为灰锡；(5)第二次真空封口：对真空封装装置抽真空，将制冷加热台的温度升高到焊接温度，使第二次封口焊料和掉落的灰锡粉末融化，并与电极焊接在一起，降温后完成第二次真空封口。本发明的封口工艺可提高真空封装工艺产能，降低产品成本。