公开(公告)号：CN115215285B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202110431854.5

申请日：2021-04-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 叶超展 ,  孙珂 ,  杨恒 ,  李昕欣

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅阳极键合的(111)硅转移工艺，其中，通过低应力氮化硅层，可实现高质量的阳极键合，同时保护键合结构不受后续释放工艺的腐蚀，形成稳定键合结构；通过闭合释放沟槽及腐蚀保护层，可形成厚度精确可控、不受晶向限制且可完全释放的敏感可动结构，从而本发明可实现(111)晶面上任意晶向MEMS器件的高精度及低成本制造。

公开(公告)号：CN115215285A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202110431854.5

申请日：2021-04-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 叶超展 ,  孙珂 ,  杨恒 ,  李昕欣

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅阳极键合的(111)硅转移工艺，其中，通过低应力氮化硅层，可实现高质量的阳极键合，同时保护键合结构不受后续释放工艺的腐蚀，形成稳定键合结构；通过闭合释放沟槽及腐蚀保护层，可形成厚度精确可控、不受晶向限制且可完全释放的敏感可动结构，从而本发明可实现(111)晶面上任意晶向MEMS器件的高精度及低成本制造。