公开(公告)号：CN108107081A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711237057.3

申请日：2017-11-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张进 ,  戈肖鸿 ,  俞正寅 ,  庞俊 ,  戴华 ,  张培军

IPC: G01N27/04

Abstract: 本发明涉及一种气体传感器的制造方法，包括：在硅衬底上产生硅突出平台；淀积第一金属薄膜层，在第一金属薄膜层上得到矩形的金属反射层图形；淀积第二金属薄膜层，在第二金属薄膜层上得到加热电阻图形；淀积第三金属薄膜层，在第三金属薄膜层上得到气敏电阻电极层叉指图形；在第三金属薄膜层上得到矩形的气敏电阻区图形；淀积第四金属薄膜层，该第四金属薄膜层为氧化物气敏材料层；在第三金属薄膜层上的气敏电阻区图形的区域留下第四金属薄膜层。本发明还提供一种根据上述制造方法得到的气体传感器。本发明的气体传感器横向切断加热电阻的热导路径，纵向形成热反射隔离，提高热绝缘效果。

公开(公告)号：CN108107081B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201711237057.3

申请日：2017-11-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张进 ,  戈肖鸿 ,  俞正寅 ,  庞俊 ,  戴华 ,  张培军

IPC: G01N27/04

Abstract: 本发明涉及一种气体传感器的制造方法，包括：在硅衬底上产生硅突出平台；淀积第一金属薄膜层，在第一金属薄膜层上得到矩形的金属反射层图形；淀积第二金属薄膜层，在第二金属薄膜层上得到加热电阻图形；淀积第三金属薄膜层，在第三金属薄膜层上得到气敏电阻电极层叉指图形；在第三金属薄膜层上得到矩形的气敏电阻区图形；淀积第四金属薄膜层，该第四金属薄膜层为氧化物气敏材料层；在第三金属薄膜层上的气敏电阻区图形的区域留下第四金属薄膜层。本发明还提供一种根据上述制造方法得到的气体传感器。本发明的气体传感器横向切断加热电阻的热导路径，纵向形成热反射隔离，提高热绝缘效果。