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公开(公告)号：CN101597066B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200910054211.2
申请日：2009-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于微电子及光电子材料技术领域，具体涉及一种硅溶胶晶种的制备方法。本发明的制备方法包括：将碱性硅酸盐质水溶液与酸性硅酸盐质水溶液混合后制得弱碱性混合硅酸盐质水溶液；弱碱性混合硅酸盐质水溶液经水热反应制得硅溶胶晶种。本发明的方法制得的硅胶体晶种尺寸大，可达10～30nm；且浓度高，胶体颗粒质量百分比浓度范围是10％～20％。本发明制备的大粒径高浓度的硅溶胶晶种可用于制备更大粒径和更高浓度的硅溶胶研磨颗粒胶体水溶液，且该制备方法具有节能、高效和方便的优点。
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公开(公告)号：CN106803744A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510833446.7
申请日：2015-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03B1/02
Abstract: 本发明提供一种微蒸发器、振荡器集成微蒸发器结构及其频率修正方法，包括：微蒸发台、锚点、支撑梁及金属电极；微蒸发台的一面为蒸发面；锚点位于微蒸发台的两侧，且与微蒸发台相隔一定的间距；支撑梁位于微蒸发台与锚点之间，一端与微蒸发台相连接，另一端与锚点相连接；支撑梁的尺寸满足如下关系式；金属电极位于锚点的第一表面。微蒸发台通过支撑梁与表面形成有金属电极的锚点相连接，通过调整设定支撑梁的尺寸，使得支撑梁的热容量小、散热少的特性，又微蒸发台及支撑梁的尺寸较小，只需在金属电极表面施加很小的功率即可以使得微蒸发台达到所需的蒸发温度，同时由于支撑梁的绝热作用，锚点处的温度升温较小，不会对器件的稳定性造成影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106549649B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201510591179.7
申请日：2015-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种N型重掺杂恒温控制振荡器及其恒温控制方法，包括：谐振结构、锚点、加热梁及温度传感器；谐振结构包括N型重掺杂纵向振动梁及第一电极；N型重掺杂纵向振动梁及第一电极均沿单晶硅 晶向族方向分布；锚点位于谐振结构的两侧；加热梁贯穿N型重掺杂纵向振动梁；温度传感器位于锚点表面。本发明中沿 晶向族的N型重掺杂结构的频率温度系数存在过零点，频率温度系数过零点的温度由掺杂浓度决定；通过调整N型掺杂浓度，可以使 晶向族谐振频率温度系数过零点略高于振荡器工作温区的上限；设置贯穿谐振结构的加热梁，在加热梁上通电流即可实现恒温控制，使得N型重掺杂恒温控制振荡器具有较好的性能稳定性及较好温度特性。
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公开(公告)号：CN106788316B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510830774.1
申请日：2015-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种压阻式恒温控制振荡器及其制备方法，包括：谐振结构、加热梁、多晶硅高阻层、第一绝缘层及加热电阻；谐振结构包括纵向振动梁及第一电极；纵向振动梁的数量为两根，两根纵向振动梁平行间隔排布；第一电极位于两根纵向振动梁的两端，并将两根纵向振动梁相连接；纵向振动梁及第一电极均沿单晶硅 晶向族方向分布；加热梁贯穿两根纵向振动梁；多晶硅高阻层位于两根纵向振动梁之间，且将加热梁隔断为两部分；第一绝缘层及加热电阻由下至上依次覆盖于加热梁的上表面。在两根纵向振动梁之间制作多晶硅高阻层，可实现对振荡器进行压阻检测；多晶硅高阻层将位于其两侧的加热梁连接成双端固支梁，可显著减小加热梁变形对谐振结构的影响。
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公开(公告)号：CN106788316A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510830774.1
申请日：2015-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H03H9/08 , H03H3/02 , H03H3/04 , H03H9/19 , H03H2003/027 , H03H2003/0407
Abstract: 本发明提供一种压阻式恒温控制振荡器及其制备方法，包括：谐振结构、加热梁、多晶硅高阻层、第一绝缘层及加热电阻；谐振结构包括纵向振动梁及第一电极；纵向振动梁的数量为两根，两根纵向振动梁平行间隔排布；第一电极位于两根纵向振动梁的两端，并将两根纵向振动梁相连接；纵向振动梁及第一电极均沿单晶硅 晶向族方向分布；加热梁贯穿两根纵向振动梁；多晶硅高阻层位于两根纵向振动梁之间，且将加热梁隔断为两部分；第一绝缘层及加热电阻由下至上依次覆盖于加热梁的上表面。在两根纵向振动梁之间制作多晶硅高阻层，可实现对振荡器进行压阻检测；多晶硅高阻层将位于其两侧的加热梁连接成双端固支梁，可显著减小加热梁变形对谐振结构的影响。
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公开(公告)号：CN103897202A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210586912.2
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种以聚苯乙烯纳米颗粒作为内核，以氧化硅作为壳层，形成聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料抛光液的制备方法，属精密抛光材料制备工艺技术领域。本发明提供一种聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料的制备方法，包括如下步骤：（1）聚苯乙烯纳米颗粒的制备；（2）在步骤1制备得到的PS胶体中加入醇，搅拌得到均匀混合的液体，之后加入氨水，其用量为0.3～8wt%；最后加入TEOS；搅拌12～48小时即可得到复合磨料；（3）由复合磨料制备抛光液。本发明提供的聚苯乙烯/氧化硅核壳型纳米复合磨料的制备方法所制备的复合磨料具有光滑的表面，适合作为抛光液中的磨料。
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公开(公告)号：CN101597066A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910054211.2
申请日：2009-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于微电子及光电子材料技术领域，具体涉及一种硅溶胶晶种的制备方法。本发明的制备方法包括：将碱性硅酸盐质水溶液与酸性硅酸盐质水溶液混合后制得弱碱性混合硅酸盐质水溶液；弱碱性混合硅酸盐质水溶液经水热反应制得硅溶胶晶种。本发明的方法制得的硅胶体晶种尺寸大，可达10～30nm；且浓度高，胶体颗粒质量百分比浓度范围是10％～20％。本发明制备的大粒径高浓度的硅溶胶晶种可用于制备更大粒径和更高浓度的硅溶胶研磨颗粒胶体水溶液，且该制备方法具有节能、高效和方便的优点。
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