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公开(公告)号：CN101604666A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910053513.8
申请日：2009-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/00 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，公开了一种蓝宝石衬底及其抛光方法与应用，本发明的蓝宝石衬底表面抛光，且抛光表面具有随机无序的凹陷图案结构。本发明的蓝宝石衬底表面只有局部平坦化。这样的蓝宝石衬底大大降低了加工成本，增加了抛光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101597066B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200910054211.2
申请日：2009-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于微电子及光电子材料技术领域，具体涉及一种硅溶胶晶种的制备方法。本发明的制备方法包括：将碱性硅酸盐质水溶液与酸性硅酸盐质水溶液混合后制得弱碱性混合硅酸盐质水溶液；弱碱性混合硅酸盐质水溶液经水热反应制得硅溶胶晶种。本发明的方法制得的硅胶体晶种尺寸大，可达10～30nm；且浓度高，胶体颗粒质量百分比浓度范围是10％～20％。本发明制备的大粒径高浓度的硅溶胶晶种可用于制备更大粒径和更高浓度的硅溶胶研磨颗粒胶体水溶液，且该制备方法具有节能、高效和方便的优点。
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公开(公告)号：CN101604666B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910053513.8
申请日：2009-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/00 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，公开了一种蓝宝石衬底及其抛光方法与应用，本发明的蓝宝石衬底表面抛光，且抛光表面具有随机无序的凹陷图案结构。本发明的蓝宝石衬底表面只有局部平坦化。这样的蓝宝石衬底大大降低了加工成本，增加了抛光效率。
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公开(公告)号：CN101642893A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910194558.7
申请日：2009-08-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不锈钢衬底的精密抛光方法，包括：按比例配制抛光液；将待抛光的不锈钢衬底5固定于抛光头4底部，加压装置7将抛光头4作用于抛光台6上，并且抛光台6、抛光头4在转动装置带动下旋转，同时抛光液2被输送至抛光垫1表面，使抛光液2、抛光垫1及不锈钢衬底5三者充分接触；将不锈钢衬底5表面进行化学机械抛光至表面完全成镜面，立即清洗即可。经本发明抛光后的不锈钢衬底，其表面平整光滑，均方根粗糙度仅0.7纳米，克服了其他抛光方法所无法满足的平坦度及粗糙度的要求。
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公开(公告)号：CN101642893B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910194558.7
申请日：2009-08-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不锈钢衬底的精密抛光方法，包括：按比例配制抛光液；将待抛光的不锈钢衬底5固定于抛光头4底部，加压装置7将抛光头4作用于抛光台6上，并且抛光台6、抛光头4在转动装置带动下旋转，同时抛光液2被输送至抛光垫1表面，使抛光液2、抛光垫1及不锈钢衬底5三者充分接触；将不锈钢衬底5表面进行化学机械抛光至表面完全成镜面，立即清洗即可。经本发明抛光后的不锈钢衬底，其表面平整光滑，均方根粗糙度仅0.7纳米，克服了其他抛光方法所无法满足的平坦度及粗糙度的要求。
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公开(公告)号：CN101597066A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910054211.2
申请日：2009-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于微电子及光电子材料技术领域，具体涉及一种硅溶胶晶种的制备方法。本发明的制备方法包括：将碱性硅酸盐质水溶液与酸性硅酸盐质水溶液混合后制得弱碱性混合硅酸盐质水溶液；弱碱性混合硅酸盐质水溶液经水热反应制得硅溶胶晶种。本发明的方法制得的硅胶体晶种尺寸大，可达10～30nm；且浓度高，胶体颗粒质量百分比浓度范围是10％～20％。本发明制备的大粒径高浓度的硅溶胶晶种可用于制备更大粒径和更高浓度的硅溶胶研磨颗粒胶体水溶液，且该制备方法具有节能、高效和方便的优点。
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