一种硅溶胶晶种的制备方法

    公开(公告)号:CN101597066B

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:CN200910054211.2

    申请日:2009-06-30

    Abstract: 本发明属于微电子及光电子材料技术领域,具体涉及一种硅溶胶晶种的制备方法。本发明的制备方法包括:将碱性硅酸盐质水溶液与酸性硅酸盐质水溶液混合后制得弱碱性混合硅酸盐质水溶液;弱碱性混合硅酸盐质水溶液经水热反应制得硅溶胶晶种。本发明的方法制得的硅胶体晶种尺寸大,可达10~30nm;且浓度高,胶体颗粒质量百分比浓度范围是10%~20%。本发明制备的大粒径高浓度的硅溶胶晶种可用于制备更大粒径和更高浓度的硅溶胶研磨颗粒胶体水溶液,且该制备方法具有节能、高效和方便的优点。

    一种化学机械抛光用磨料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101372560A

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:CN200810201230.9

    申请日:2008-10-15

    Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光用磨料及其制备方法,用于化学机械抛光领域。将纳米级的SiO2磨料稀释成浓度10%(质量分数)以下,作为生长的基体。用铝盐在80-90℃下加入水解,然后加入酸在90-100℃陈化,制得酸性AlOOH溶液。将水玻璃稀释到10%以下,通过强阳离子交换树脂,制得活性硅酸。最后按照粒子生长法将制得的AlOOH溶液和硅酸滴入到硅溶胶中,加入一定量碱,控制pH值在8-11之间,恒温加热并剧烈搅拌,陈化2小时。硅基上生长的铝硅复合物中,硅铝的原子比例可以按照AlOOH和活性硅酸的比例控制。制得的磨料能够扩展磨料存在的pH值范围;提高化学机械抛光的应用范围;能够改善表面化学性质。

    一种化学机械抛光用磨料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101372560B

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN200810201230.9

    申请日:2008-10-15

    Abstract: 本发明提供了一种化学机械抛光用磨料及其制备方法,用于化学机械抛光领域。将纳米级的SiO2磨料稀释成浓度10%(质量分数)以下,作为生长的基体。用铝盐在80-90℃下加入水解,然后加入酸在90-100℃陈化,制得酸性AlOOH溶液。将水玻璃稀释到10%以下,通过强阳离子交换树脂,制得活性硅酸。最后按照粒子生长法将制得的AlOOH溶液和硅酸滴入到硅溶胶中,加入一定量碱,控制pH值在8-11之间,恒温加热并剧烈搅拌,陈化2小时。硅基上生长的铝硅复合物中,硅铝的原子比例可以按照AlOOH和活性硅酸的比例控制。制得的磨料能够扩展磨料存在的pH值范围;提高化学机械抛光的应用范围;能够改善表面化学性质。

    一种硅溶胶晶种的制备方法

    公开(公告)号:CN101597066A

    公开(公告)日:2009-12-09

    申请号:CN200910054211.2

    申请日:2009-06-30

    Abstract: 本发明属于微电子及光电子材料技术领域,具体涉及一种硅溶胶晶种的制备方法。本发明的制备方法包括:将碱性硅酸盐质水溶液与酸性硅酸盐质水溶液混合后制得弱碱性混合硅酸盐质水溶液;弱碱性混合硅酸盐质水溶液经水热反应制得硅溶胶晶种。本发明的方法制得的硅胶体晶种尺寸大,可达10~30nm;且浓度高,胶体颗粒质量百分比浓度范围是10%~20%。本发明制备的大粒径高浓度的硅溶胶晶种可用于制备更大粒径和更高浓度的硅溶胶研磨颗粒胶体水溶液,且该制备方法具有节能、高效和方便的优点。

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