公开(公告)号：CN117433885A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311461381.9

申请日：2023-11-03

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 杨迁 ,  余航 ,  罗俊 ,  邢宗锋 ,  文科 ,  张峻山 ,  罗宗浩

IPC: G01N3/04 ,  G01N3/22

Abstract: 本发明公开了一种玻璃熔封盖板试验夹具，包括底座、调节定位器和扳手连接器，底座上内凹形成有安装腔；调节定位器包括支撑单元、设置在支撑单元上的调节单元，支撑单元上开设有操作空间，调节单元设在操作空间内，在操作空间上设有第一夹紧单元，第一夹紧单元的顶面和支撑单元平齐；扳手连接器包括第二夹紧单元和连接单元。通过各单元之间的配合，以能够限制住外壳的同时，调节整个封装盖板的高度，使得封盖的顶面高于支撑单元的顶面，形成高度差，通过调节以夹紧封盖，扭力扳手将扭矩施加在被第二夹紧单元夹紧的封盖上，直至封盖和外壳之间被扭破，同时通过外部检测装置通过扭力扳手进行检测，以轻松完成对封装盖板的扭矩检测。

公开(公告)号：CN115791376A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211578327.8

申请日：2022-12-09

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 李胜玉 ,  罗俊 ,  邱忠文 ,  谭骁洪 ,  应广祺 ,  余航 ,  吴兆希 ,  蔡建荣 ,  岑政 ,  张玲

IPC: G01N3/04 ,  G01N3/20 ,  G01N3/02

Abstract: 本发明涉及一种适用于片式电容的抗弯曲强度测试夹具及测试方法，包括底座，所述底座上水平设置有限制位挡板，所述限制位挡板上设置有支撑组件；所述底座上还设置有PCB板固定结构，所述PCB板固定结构上设置有PCB板，所述PCB板位于支撑组件的正上方；所述PCB板的上方设置有盖板，所述盖板对应PCB板的中心位置处穿设有施压螺栓。本发明中，能够模拟片式电容焊接在PCB板上弯曲的情况，从而能够在更接近PCB板实际工作状态的环境下测试片式电容的失效极限容值，满足用户对产品更高的筛选需求；并且在底座上设置了限制位挡板，使得PCB板在抗弯曲测试中不会相对测试夹具发生位移造成安全隐患。

公开(公告)号：CN115117242A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210788732.6

申请日：2022-07-06

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 余航 ,  罗俊 ,  邢宗锋 ,  吴兆希 ,  谭骁洪

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明涉及一种基于隧穿效应的大电流有机场效应晶体管，包括栅极，所述栅极上设置有绝缘层，所述绝缘层上设置有有源层，所述有源层上分别设置有源极和漏极；其特征在于，在所述源极与有源层之间设置有第一修饰层，所述第一修饰层用于在源极和有源层之间形成隧穿效应；在所述漏极与有源层之间设置有第二修饰层，所述第二修饰层用于在漏极和有源层之间形成隧穿效应。本实施例基于量子力学的隧穿效应，通过在有源层和源极、漏极之间增加了一层修饰层使有源层和源极、漏极之间产生隧穿效应，从而增大了有机场效应晶体管的输出电流，使有机场效应晶体管的驱动能力得到较大提高。

公开(公告)号：CN114371393A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202210029935.7

申请日：2022-01-12

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 吴兆希 ,  罗俊 ,  谭骁洪 ,  林震 ,  岑政 ,  李胜玉 ,  余航

IPC: G01R31/3181

Abstract: 本发明涉及一种基于改进的HALT试验的模拟集成电路可靠性试验方法，包括在常温、最低和最高工作温度对模拟集成电路样品进行电性能测试；依次使环境温度从常温开始向低温工作极限温度和高温工作极限温度步进，并进行在线测试；找到变化幅度最大的参数作为敏感参数，并找出敏感参数变化最大时对应的温度TA；在温度TA对模拟集成电路样品进行温度应力累积试验；在最低和最高工作温度之间进行温度循环试验；在常温下对模拟集成电路样品的敏感参数进行测试，并与之前的测试结果进行对比。本发明中，对传统的HALT试验技术进行改进，能够更准确、高效率地激发出模拟集成电路的潜在缺陷，为产品的设计改进提供依据，提高产品的可靠性水平。

公开(公告)号：CN119364657A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411527155.0

申请日：2024-10-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 杨蕊亦 ,  余航 ,  罗俊 ,  吴兆希 ,  刘倩 ,  王姝雁 ,  徐多 ,  任李贤

IPC: H05K3/00 ,  H05K1/02 ,  H05K1/11

Abstract: 本发明公开了一种空间辐照下电源总剂量老化耦合效应试验PCB布线方法，包括：根据测试用DC/DC电源在测试时需要与外部连接的引脚设计该DC/DC电源的辐照偏置电路图；对照辐照偏置电路图设计PCB板的内部布局，并通过测试对PCB板的内部布局进行调整。本发明中，对照辐照偏置电路图设计PCB板的内部布局，并根据测试情况对PCB板的内部布局进行调整，可以规避可能的反馈耦合与寄生耦合，降低噪声与干扰，提高试验用PCB板在辐照环境下的抗干扰能力。

公开(公告)号：CN118690573A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410896599.5

申请日：2024-07-05

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 余航 ,  罗俊 ,  罗云耀 ,  文科 ,  吴兆希 ,  谭骁洪 ,  刘倩

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/18 ,  G06F119/04 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了一种预测VDMOS在空间环境下寿命的方法，包括：选取多个加速应力水平作为试验应力水平，并在每一试验应力水平下通过退化实验获取多个样本数据；构建VDMOS寿命预测的加速模型；根据样本数据拟合退化轨迹，并建立寿命分布模型；根据寿命分布模型求解加速模型的参数，并得出VDMOS的可靠性函数；根据VDMOS的可靠性函数对VDMOS在空间环境下的寿命进行预测。本发明中，通过使用多应力水平的加速试验对器件进行总剂量辐照，通过数学建模求解器件退化模型，可从实验室环境得到器件预期寿命，解决了低剂量率辐照加速模型构建和寿命评估问题。